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9.2 CMOS工艺流程薄膜制作（layer）刻印 (pattern)刻蚀掺杂9.2 CMOS工艺流程Wafer Fabrication (front-end) Wafer StartThin FilmsPolishUnpatterned WaferDiffusionPhotoEtchCompleted WaferTest/SortImplant9.2.1 硅片制造厂的分区概述ThermocouplemeasurementsTemperaturecontrollerGas flowcontrollerProcess gasQuartz tubeHeater 1Temperature-setting voltagesHeater 2Three-zoneHeating ElementsHeater 3ExhaustPressurecontroller9.2.1 硅片制造厂的分区概述—扩散9.2.1 硅片制造厂的分区概述—光刻步进光刻机(（对准）t/曝光系统)气相成底膜湿影清洗去边涂胶装片台传送台片架硅片传送系统坚膜软烘冷板冷板9.2.1 硅片制造厂的分区概述—光刻Etchant gas entering gas inletGas distribution baffleHigh-frequency energyAnode electrodeRF coax cablePhotonElectromagnetic fieldGlow discharge (plasma)?Free electrone-e-Vacuum gaugee-WaferIon sheathCathode electrodeR+Chamber wallFlow of byproducts and process gasesPositive ionRadical chemicalExhaust to vacuum pumpVacuum line9.2.1 硅片制造厂的分区概述—刻蚀9.2.1 硅片制造厂的分区概述—离子注入9.2.1 硅片制造厂的分区概述—离子注入9.2.1 硅片制造厂的分区概述—薄膜生长9.2.1 硅片制造厂的分区概述—薄膜生长（金属化）Gas inletCapacitive-coupled RF inputProcess chamberChemical vapor depositionWaferSusceptorExhaustHeat lamps CVD cluster tool 薄膜生长CVD Processing SystemFigure 9.7 9.2.1 硅片制造厂的分区概述—抛光9.3 CMOS制作步骤CMOS反相器，由2个晶体管组成—一个nMOS和一个pMOS，步骤如下：8、局部互连工艺9、通孔1和金属塞1的形成10、金属1互连的形成11、通孔2和金属塞2的形成12、金属2互连的形成13、制作到压点及合金的 金属314、参数测试1、双阱工艺2、浅槽隔离工艺3、多晶硅栅结构工艺4、轻掺杂漏（LDD）注入 工艺5、侧墙的形成6、漏/源注入工艺7、掺杂9.3 CMOS制作步骤—1双阱工艺定义MOSFET有源区，双阱包括一个n阱和p阱。采用倒掺杂技术来优化晶体管的电学特性—利用高能量、大剂量的注入。随后的阱注入在相同区域进行，能量剂量都大幅度减小。形成n阱的5个主要步骤1、外延生长2、初始氧化生长3、第一层掩膜，n阱注入4、n阱注入（高能）5、退火9.3 CMOS制作步骤—1双阱工艺闩锁效应：由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。它的存在会使VDD和GND之间形成一低阻抗通路，产生大电流。措施：减小衬底和N阱的寄生电阻。 9.3 CMOS制作步骤—1双阱工艺9.3 CMOS制作步骤—1双阱工艺形成p阱的3个步骤：1、第二层掩膜，p阱注入；2、p阱注入（高能）；3、退火9.3 CMOS制作步骤—2浅槽隔离工艺浅槽隔离工艺（STI，Shallow Trench isolation）是一种在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。之前的隔离工艺是硅的局域氧化工艺（LOCOS）STI槽刻蚀4个主要步骤：1、隔离氧化层 barrier oxide2、氮化物淀积3、第三层掩膜，浅槽隔离4、STI槽刻蚀9.3 CMOS制作步骤—2浅槽隔离工艺9.3 CMOS制作步骤—2浅槽隔离工艺STI氧化物填充的基本步骤：1、沟槽衬垫氧化硅(侧壁）trench liner oxide；2、沟槽CVD氧化物填充9.3 CMOS制作步骤—2浅槽隔离工艺STI氧化物氧化层抛光—氧化物去除：1、沟槽氧化物抛光（CMP）；2、氮化物去除（磷酸）9.3 CMOS制作