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第十章 氧化1、硅片表面热生长一层氧化层的能力是集成电路制造工 艺的基础之一，也是硅片取代锗片成为微电子工业最 重要基质材料的主要原因之一；2、氧化物掩蔽技术从而实现对硅衬底选择性扩散掺杂；3、氧化层具有高质量、稳定的介质特性；4、用作栅结构（栅氧）、隔离（场氧）、氧化层屏蔽、 应力消除（垫氧）；5、制备手段：CVD、PVD、SOG以及热生长。第十章 氧化—10.1 引言1、热生长或淀积；2、为第一道工序；3、热预算尽可能低 （降温或减少时间）第十章 氧化—10.1 引言第十章 氧化—10.2 氧化膜1、无定形（非晶态）；2、1个Si原子被4个O原 子包围的四面体；3、无长程序；第十章 氧化—10.2 氧化膜第十章 氧化—10.2 氧化膜氧化膜的用途：1、保护器件免划伤和隔离沾污；2、限制带电载流子场区隔离（表面钝化）；3、栅氧或储存器单元结构中的介质材料；4、掺杂中的注入掩蔽；5、金属导电层间的介质层。第十章 氧化—10.2 氧化膜表面钝化：第十章 氧化—10.2 氧化膜第十章 氧化—10.2 氧化膜掺杂阻挡（不能用于Al、Ga等）：第十章 氧化—10.2 氧化膜第十章 氧化—10.2 氧化膜第十章 氧化—10.2 氧化膜第十章 氧化—10.2 氧化膜第十章 氧化—10.2 氧化膜第十章 氧化—10.2 氧化膜垫氧化层（减少Si3N4和Si衬底之间应力）：第十章 氧化—10.2 氧化膜注入屏蔽氧化层（减少注入沟道和注入损伤）：第十章 氧化—10.2 氧化膜第十章 氧化—10.3 热氧化生长1、不同厚度对应不同的颜色（附录D）2、参数：厚度、均匀性、针孔和空隙3、干氧、湿氧4、氧化生长模式第十章 氧化—10.3 热氧化生长第十章 氧化—10.3 热氧化生长第十章 氧化—10.3 热氧化生长1、干氧 Si（固）+O2（气）SiO2（固） 2、湿氧 Si（固）+2H2O（水汽）SiO2（固） +2H2（气）第十章 氧化—10.3 热氧化生长第十章 氧化—10.3 热氧化生长第十章 氧化—10.3 热氧化生长干氧和湿氧的比较第十章 氧化—10.3 热氧化生长第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式生长1000 nm二氧化硅，需要消耗460 nm硅（为什么？）第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式正常情况下，每个Si原子和4个O原子结合，每个O原子和2个Si原子结合。但是在Si/SiO2界面处有Si原子没有和O原子结合（悬挂键）。界面2nm内硅的不完全氧化是带正电的固定氧化物电荷区。1、通H2或N2-H2混合气低温退火可减少电荷密度（钝 化悬挂键界面态）；2、含氯氧化过程也可以生成高质量低界面态的薄膜第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式氧化物生长速率（线性阶段和抛物线阶段）：1、温度；2、压力；3、氧化方式（干氧、湿氧）；4、硅的晶向；5、掺杂水平。第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式线性阶段（15 nm，反应速率控制）： X=(B/A)×t抛物线阶段（15 nm，扩散控制）： X=(Bt)1/2第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式影响氧化物生长的因素1、温度、水汽2、掺杂效应（重掺的快）3、（111）（110）（100），但前者界面电荷堆积多4、压力效应，随压力增大而增大5、等离子体增强，减少热预算（可低于600℃为什么？）第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式初始生长阶段：无精确模型，栅氧的生长选择性氧化：利用SiO2来实现对硅片表面相邻器件的电隔离。0.25μm 工艺之前采用LOCOS，用淀积氮化物薄膜作为氧化阻挡层。现在的主流工艺采用STI（浅槽隔离工艺）二氧化硅的应力、氧化诱生堆垛层错（OISF）【掺氯氧化减少层错】第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式第十章 氧化—10.4 高温炉设备应用领域：热生长氧化物（栅氧、场氧和垫氧）、退火、烧结、膜淀积、玻璃体的回流和硅化物膜的形成。基本设备：1、卧式炉2、立式炉（自动化，减少颗粒沾污）3、快速热处理炉（RTP）（辐射源和冷却源）第十章 氧化—10.4 高温炉设备第十章 氧化—10.4 高温炉设备第十章 氧化—10.5 卧式与立式炉第十章 氧化—10.5.1 立式炉工艺腔硅片传输系统气体分配系统尾气系统温控系统第十章 氧化—10.5