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上海新傲科技北区新的项目25M3H超纯水工程的设计 　　摘要：新傲科技公司SOI “绝缘衬底上的硅” （02国家专项）北区新项目超纯水站设计思想及设备选型，其中在极大规模集成电路中硼的脱除、EDI产水水质并与混床技术比较、降低总有机碳（TOC）和溶氧去除的技术、超纯水不同处理阶段中管材的选用以及配管施工中减少污染的措施，提出了解决方案。经过1年多的稳定运行表明，所采取的方法可靠、有效、环保，值得在类似工程中借鉴、运用。 　　关键词：超纯水;去硼;EDI;总有机碳;配管 　　Abstract: The new Ao technology company SOI Silicon on insulator (02 national special) north of new projects ultra pure water station design and equipment selection, removal, which in a great scale integrated circuit of boron in the EDI product water quality and compared, and the mixed bed technology to reduce the total organic carbon (TOC) and the dissolved oxygen removal technology, ultra pure water pipes of different processing stage and measures to reduce pollution in the piping construction, proposed the solution. After the show the stable operation of more than 1 years, the approach taken is reliable, efficient, environmental protection, it is worth using for reference, use in similar projects. 　　Key words: ultra-pure water; to boron; EDI; total organic carbon; piping 　　中图分类号：TV213.9 文献标识码：A 文章编号： 　　1引言 　　上海新傲科技是中国唯一SOI(绝缘衬底上的硅)产业化基地，2010年12月底竣工并投入生产的“极大规模集成电路制造设备及成套工艺”项目（02国家专项），依据8英寸Fab厂的要求用于生产、清洗工艺。其水量为25M3/H（2期为50M3/H，24h/D，365天连续运行），原水水质为城市自来水，生产工艺用水水质指标（超滤出口）见表1. 出水压力为0.3Mpa 　　 表1 出水水质主要指标 　　 　　 　　2工艺流程及设备选型 　　整套系统设计要求简洁可靠、操作简单方便、维护时不影响系统运行、原水水质出现波动时不影响产生品质、运行能耗费用低等特点。 　　电子工业用水中的硅对大规模集成电路的材料，器件性能和成品率有很大的影响[1],它会降低热生长的氧化物的可靠性，造成磷硅雾阀值电压变化等离子刻蚀，也会形成颗粒污染而影响图形缺陷[2]，在半导体生产工艺中硼是P型杂质过量会使n型硅反型，对电子空穴浓度有影响[3]。因此在水站工艺设计时要重点考虑硅、硼元素的脱除。根据各工段得作用机理，超纯水工艺流程设备基本可分为3部分，第一部分预处理、第二部分制备系统、第三部分polish（终端精处理）系统。系统工艺简化流程如下： 　　 　　 　　预处理系统 　　预处理系统主要包括原水箱、提升泵、PAC加药、NaCLO加药、多介质过滤器、活性炭塔、NaHSO3加药、板式换热器、阻垢剂加药、保安过滤器。 　　PAC絮凝剂设计投加量为5--10PPM，NACLO投加量为5--10PPM，NaHSO3投加量通过ORP值来控制。阻垢剂的投加量为3--5PPM。加药系统采用电磁驱动隔膜计量泵，各加入点使用管道混合器使原水于药品快速充分混合。 　　多介质过滤器主要去除水中的悬浮物和胶体，通过管道混合使水中大部分悬浮物和胶体成微絮体在滤层中截留而去除。多介质过滤器为2台，每台规格为φ2200×H3500,每台过滤量为35m3/h,一用一备。将来水站扩充时只需再增加1组过滤器达到2用1备，现系统不需停机即可实现最终设计目标。 　　活性炭用于吸附自来水中的余氯及有机物，保证进RO水的余氯浓度在RO膜系统允许范围。活性炭塔为2台，每台规格为φ2200×