ITO薄膜微结构和其分形表征.PDFVIP

第3卷 第4期 中国科技论文在线 SCIENCEPAPER ONLINE 273 2008 年 4 月 ITO 薄膜的微结构及其分形表征 孙兆奇 1 ，吕建国 2 ，蔡 琪 1 ，曹春斌 1 ，江锡顺 1 ，宋学萍 1 （1. 安徽大学物理与材料科学学院，合肥 230039 ；2. 合肥师范学院物理与电子工程系，合肥 230061 ） 摘 要：采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜，用 XRD 、TEM 和分形理论测试和分析了不同退火时 间ITO 薄膜的微结构。XRD 分析表明：退火时间持续增加，薄膜的晶格常数先减小后略有增大，这是薄膜中 Sn4+取代 Sn2+ 导致晶格常数减小和压应力不断释放导致晶格常数增大共同作用的结果。分形研究表明：分形维 数随退火时间的延长先减小后增大，说明薄膜中平均晶粒尺寸先减小后增大，与 XRD 的研究结果一致。 关键词：无机非金属材料；微结构；分形；氧化铟锡(ITO)薄膜 中图分类号：O484 文献标识码：A 文章编号：1673－7180(2008)04 －0273 －5 Microstructure and fractal characterization of ITO films 1 2 1 1 1 1 SUN Zhaoqi ，LU Jianguo ，CAI Qi ，CAO Chunbin ，JIANG Xishun ，SONG Xueping (1. School of Physics and Material Science, Anhui University, Hefei 230039 ； 2. Department of Physics and Electronic Engineering, Hefei Teachers College, Hefei 230061) Abstract: Indium Tin Oxide (ITO) films, deposited by DC magnetron sputtering, were annealed at 300 ℃ for different time. Microstructure and morphology of the ITO films are characterized by XRD, TEM and fractal. As the annealing time increasing, the effect of Sn4+ replaceing Sn2+ combined with releasing compression stress induces the lattice constant decrease at first, and increase later. The fractal dimension decreases at first and increased later, revealing that the mean grain size varies with the same way as fractal dimension. Key words: inorganic non-metallic meterial ；microstructure ；fractal ；indium tin oxide (ITO) films 氧化铟锡 (ITO) 薄膜具有可见光的高透过率 性能与其微结构及组分密切相关，因此 ITO 薄膜的 (80%) 、红外的高反射率、低电阻率(10-3~10-4 Ω ·cm) 光电特性强烈地依赖于薄膜的微结构、化学组分和 和较宽的能隙(3.6~3.9 eV)等优良的光电特性，是一