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功率MOSFET的应用技术工程化教学 　　【摘要】在分析功率MOSFET管结构和工作原理的基础上，结合工程实际应用的N沟道IRFB7434，分析了MOSFET的静态特性、正偏与反偏工况分析以及选型与检测方法，该教学内容的拓展丰富了功率MOSFET的教学内容，有利于功率MOSFET的工程化应用。 　　【关键词】MOSFET；静态；动态；反向工作区 　　基金项目：本科教学建设与改革项目资助：面向电动车辆工程方向的自动化专业人才培养模式研究与探讨，项目编号：JX201603-1. 　　【分类号】G643；G254.97-4 　　1、基本结构 　　图1垂直导电结构MOSFET和电气图形符号 　　功率MOSFET通常采用平面结构和垂直导电结构，平面结构中MOSFET的三个电极在硅片的同一侧，这种结构存在导通电阻大和通过电流低等弱点；垂直导电结构种MOSFET的源极和栅极在一侧，而漏极则在芯片衬底一侧。 　　功率MOSFET是单极性器件，只有一种载流子导电，不管是N沟道型还是P沟道型MOSFET，载流子从源极出发，经漏极流出，由于P沟道的导通电阻较大，所以通常使用N沟道的MOSFET。 　　2、工作原理 　　从图1的结构可知，垂直导电结构的MOSFET中有两个PN结，分别是 和 　　截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 　　P基区与N漂移区之间形成的PN结反偏，漏源极之间无电流流过。 　　导电：在栅源极间加正电压UGS 　　当 大于 时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结消失，漏极和源极导电。 　　3、基本特性与工况分析 　　3.1 静态特性 　　1） 转移特性 　　2） 输出特性 　　a） 电阻性区域 　　在开关状态下，这里 的大小仅仅由外电路决定，而与输入信号无关，在该区域中，静态导通压降 。 　　b） 饱和区 　　当 仅略大于栅极开启电压时，此时漏极电流受栅源电压控制，这个区域成为饱和区，在饱和区中， 对 没有影响，当 一定时， 也近似恒定，只有通过改变 的大小才能改变 。 　　c） 电压击穿区 　　如果 太大，PN将发生雪崩击穿， 骤增而使得器件失效。 　　3.2 动态过程 　　该部分内容看参考文献[1]和[2]，这里不再赘述。 　　3.3 正偏和反偏分析 　　模式1：正栅压正向输出 　　此时导电沟道已经形成，当 的数值大小不一样的时，MOSFET经过主动区域和电阻性区域。 　　模式2：无栅压正向输出 　　此时导电沟道没有形成，当 的数值在MOSFET安全工作区时，MOSFET处于截止区域。 　　模式3：正栅压反向输出 　　由于栅源电压大于MOSFET的开启电压，导电沟道形成，虽然MOSFET漏极和源极之间施加反向电压，但是此时仍然是通过导电沟道通电，因此MOSFET的导通压降大大低于MOSFET寄生的二极管的导通压降。 　　模式4：无栅压反向输出 　　此时导电沟道没有形成，MOSFET漏极和源极之间施加的反向电压，MOSFET寄生的二极管导通，导通压降为二极管的压降。 　　4、MOSFET的选型与检测 　　4.1 重要参数 　　1） 漏极电压 　　该电压是MOSFET的电压定额，即Drain-to-Source Breakdown Voltage（ ），温度发生变化时该电压值发生改变，该指标为Breakdown Voltage Temp. Coefficient， 。温度越高，该电压值越大。 　　2） 漏极电流 　　对漏极电流的约束，有两个部分，一是源极电流，即Continuous Source Current（ ）和Pulsed Source Current（ ），该电流是MOSFET寄生的二极管能够通过的电流，二是漏极电流，即Continuous Drain Current（ ）和Pulsed Drain Current（ ），在不同的?囟认赂玫缌鞯氖?值时不一样的，温度越高，该电流值越小。 　　3） 栅源电压 　　即MOSFET的Gate-to-Source Voltage（ ），该电压必须大于MOSFET的Gate Threshold Voltage（ ），同时该电压必须小于MOSFET栅源电压的最大值。该电压越高，MOSFET最大连续漏极电流越大，并且其稳态导通电阻越小，总等效的栅极电荷越大。 　　4） 导通电阻 　　即RDS（on），Static Drain-to-Source On-Resistance，该电阻有一个典型值和最大值，不同的漏极电流和栅源电压，此时MOSFET的导通电阻值时不一样的，由该阻值引起的损耗为： ，因此该电阻越大，静态损耗就越大。温度越高，导通电阻越大。 　　5）