各种二极管结构性质的研究.docVIP

各种二极管结构性质的研究 　　摘 要：二极管作为电子线路中的基础元器件，在电路的设计制作中起着不可替代的作用，二极管在整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路中都得到了广泛的应用，正是由于二极管等元件的发明，才有我们现在丰富多彩的电子信息世界的诞生，所以研究二极管的结构和性质、作用原理及基本电路是很有必要的。 　　关键词：二极管，PN结，伏安特性，单向导电，击穿 　　1、二极管的基本组成 　　在纯净的四价半导体晶体材料（主要是硅和锗）中掺入微量三价（例如硼）或五价（例如磷）元素，半导体的导电能力就会大大增强。这是由于形成了有传导电流能力的载流子。掺入五价元素的半导体中的3多数载流子是自由电子，称为电子半导体或N型半导体。而掺入三价元素的半导体中的多数载流子是空穴，称为空穴半导体或P型半导体。在掺杂半导体中多数载流子（称多子）数目由掺杂浓度确定，而少数载流子（称少子）数目与温度有关，并且温度升高时，少数载流子数目会增加。 　　在一块半导体基片上通过适当的半导体工艺技术可以形成P型半导体和N型半导体的交接面，称为PN结。PN结具有单向导电性：当PN结加正向电压时，P端电位高于N端，PN结变窄，由多子形成的电流可以由P区向N区流通，见图1-1（a），而当PN结加反向电压时，N端电位高于P端，PN结变宽，由少子形成的电流极小，视为截止（不导通），见图1-1（b）。 　　半导体二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。二极管的种类很多，按材料来分，最常用的有硅管和锗管两种；按结构来分，有点接触型，面接触型和硅平面型几种；按用途来分，有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多种。 　　2、二极管的性质 　　二极管的电流与电压的关系曲线 ，称为二极管的伏安特性。其伏安特性曲线如图所示。二极管的核心是一个PN结，具有单向导电性，由图2.1可见二极管的伏安特性曲线是非线性的，可分为三部分：正向特性、反向特性和反向击穿特性。 　　图2.1二极管的伏安特性曲线 　　1、正向特性：当外加正向电压很低时，管子内多数载流子的扩散运动没形成，故正向电流几乎为零。当正向电压超过一定数值时，才有明显的正向电流，这个电压值称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.2V，当正向电压大于死区电压后，正向电流迅速增长，曲线接近上升直线，在伏安特性的这一部分，当电流迅速增加时，二极管的正向压降变化很小，硅管正向压降约为0.6～0.7V，锗管的正向压降约为0.2～0.3V。二极管的伏安特性对温度很敏感，温度升高时，正向特性曲线向左移，如图2.1所示，这说明，对应同样大小的正向电流，正向压降随温升而减小。研究表明，温度每升高10℃，正向压降减小2mV。 　　2、反向特性：二极管加上反向电压时，形成很小的反向电流，且在一定温度下它的数量基本维持不变，因此，当反向电压在一定范围内增大时，反向电流的大小基本恒定，而与反向电压大小无关，故称为反向饱和电流，一般小功率锗管的反向电流可达几十μA，而小功率硅管的反向电流要小得多，一般在0.1μA以下，当温度升高时，少数载流子数目增加，使反向电流增大，特性曲线下移，研究表明，温度每升高100℃，反向电流近似增大一倍。 　　3、反向击穿特性：当二极管的外加反向电压大于一定数值（反向击穿电压）时，反向电流突然急剧增加称为二极管反向击穿。反向击穿电压一般在几十伏以上。 　　3、二极管的应用 　　3.1稳压二极管 　　稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡。稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阻配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管就在电路到起到稳压的作用了。而且稳压管与其它普能二极管不同之反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。 　　3.2整流二极管 　　整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。图3.1展示了整流二极管在电路中所起的作用。 　　图3.1整流二极