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国产裸芯片质量控制的方法初探 　　【摘要】随着工程产品小型化的发展趋势，裸芯片的使用越来越广。目前国内半导体器件生产厂缺少对裸芯片进行电老炼的手段。组件、混合电路的电老炼应力不能满足剔除装入其中存在的早期失效缺陷裸芯片的要求，因此裸芯片的质量与可靠性已成为制约工程产品可靠性的瓶颈。本文针对国内半导体器件生产厂不能对裸芯片进行电老炼的现状，从芯片设计到筛选、评价等过程对面向工程应用的国产裸芯片的质量控制方法进行初步探索研究。 　　【关键词】裸芯片；电老炼；质量控制 　　1.引言 　　工程使用大量的元器件，元器件的可靠性已成为工程可靠性的基础。随着型号产品轻量化、小型化的发展趋势，组件、混合电路的应用日益普及[1]。组件、混合电路内部往往使用数量不等的裸芯片，常见的裸芯片类型主要有二、三极管，集成电路，电容等。电老炼是剔除存在早期失效缺陷的元器件的最有效的方法，但由于受到技术、资金等因素的制约，国内外特别是国内半导体生产厂往往缺少对裸芯片进行电老炼的手段。因此装入工程使用的组件、混合电路的裸芯片未经过电老炼环节，组件、混合电路的电老炼应力又不能满足剔除装入其中的存在早期失效缺陷裸芯片的要求。裸芯片的质量与可靠性已成为制约型号产品可靠性的瓶颈，所以有必要对裸芯片的质量控制方法进行研究[2]。 　　2.国内外裸芯片的质量控制现状 　　目前国内外裸芯片的质量控制主要有两种模式： 　　（1）KGD芯片的质量控制[3] 　　KGD（Know Good Die，已知良好芯片）芯片是经过测试、电老炼筛选等质量控制环节的芯片，从理论上说此类芯片在装入组件、混合电路时已剔除了存在早期失效缺陷的产品，从可靠性角度看已进入相应质量等级的浴盆曲线底部。 　　KGD芯片进行电老炼采用两种方法： 　　①分立芯片电老炼。其特点是使用临时封装的载体夹具对划化片后的单个芯片进行电老炼，使用灵活，适合批量不大的产品。 　　②晶圆级电老炼。其特点是对整个晶圆进行电老炼，费用教高，适合大批量生产，在有足够的需求批量条件下采用。 　　国外有专门对裸芯片进行电老炼的设备，如美国AEHR公司生产的FOX系列产品。 　　虽然KGD芯片的质量与可靠性具有很大优势，但KGD芯片的电老炼环节所需要的技术高、费用昂贵，因此受到资金、技术等因素的制约，国内半导体生产厂缺少对裸芯片进行电老炼的手段，很难提供KGD芯片。 　　（2）测试芯片的质量控制 　　测试芯片经过晶圆级探针的测试环节，有时辅以晶圆级的高温贮存和抽样封装进行电老炼和寿命试验等评价考核试验。对于型号工程，国内半导体器件裸芯片生产厂一般采用此种方法提供裸芯片。但是由于装入组件、混合电路的芯片未经过电老炼筛选，芯片抽样封装进行的评价考核试验不能完全反映装机时芯片的可靠性水平，因此此类芯片的质量与可靠性水平具有不确定性。 　　3.国产裸芯片的质量控制方法 　　从以上分析可以看出，目前国内半导体器件生产厂缺少对裸芯片进行电老炼的手段，提供的裸芯片往往具有存在早期失效缺陷的产品，而目前对裸芯片质量与可靠性的评价是抽样性质的（如GJB2438《混合集成电路通用规范》），不能完全反映装机时芯片的可靠性水平。产品的质量与可靠性是由设计、生产决定的，因此对工程产品使用的裸芯片的质量控制应从设计、生产工艺控制到芯片测试筛选，可靠性评价考核试验等全过程进行。 　　（1）设计阶段控制 　　裸芯片的质量控制必须从设计阶段抓起。设计阶段控制主要通过可靠性设计、模型验证、设计规则验证等环节实施，力求最大程度上消除因设计不当造成的质量与可靠性问题。 　　（2）生产工艺过程阶段控制 　　生产工艺过程控制主要通过以下方面进行： 　　（a）过程识别文件（PID）的建立； 　　（b）统计过程控制（SPC）技术的实施； 　　（c）工序能力指数CPK的提高。非关键工序的CPK≥1.33，关键工序的CPK≥1.5。 　　通过以上环节的控制，力求最大程度上消除因生产过程不当造成的质量与可靠性问题。 　　（3）芯片测试筛选 　　（a）晶圆级测试筛选按下表规定100%进行。 　　顺序 筛选项目 试验条件 　　1 高温贮存 +（125±2）℃，96小时，N2气氛 　　2 温度循环 -（55±3）℃）～+（125±2）℃，恒温时间不少于30分钟，转换时间不超过1分钟，10次循环 　　3 常温测试 按产品详细规范，对关键参数规定一致性的要求 　　4 内部镜检 集成电路按GJB548内部目检的条件A的规定；分立器件按GJB128的内部目检的规定。 　　注：对PDA规定控制要求。 　　（b）划片后的芯片镜检 　　产品按集成电路按GJB548内部目检的条件A的规定；分立器件按GJB128内部目检的规定。 　　（4）