项目五半导体二极管跟三极管.pptVIP

外加电压大于死区电压，二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压时，二极管被击穿，失去单向导电性。 P N + – U I 硅管0.5V锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 正向特性 反向特性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V 死区电压 P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 二、伏安特性： 非线性 三、主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压U(BR)的一半或三分之二。点接触型D 管为数十伏，面接触型D管可达数百伏。 3. 反向峰值电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差。 反向电流受温度影响，温度越高反向电流越大。 硅管的反向电流较小（ 几微安），锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 二极管的应用: 整流、检波、限幅、保护等 关键：判定二极管的工作状态 ---- 导通、截止 实际二极管：正向导通 ---- 硅 0.6~0.7V 锗 0.2~0.3V 理想二极管：正向导通 ---- 管压降为零 反向截止 ---- 相当于断开 四、二极管的电路分析： 分析方法： 1. 断开二极管 2. 分析其两端电位高低 V阳 V阴 → 导通 V阳 V阴 → 截止 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例1：二极管半波整流 分析依据: 二极管的单向导电性 假定为理想二极管 RL ui uo ui uo t t 二极管的应用举例：二极管半波整流 非理想二极管？（硅管） 正向管压降 硅0.6-0.7V 5V 练习：已知：Ui = 10 sinwt V，二极管为理想元件。 试画出Uo的波形。 Ui 5V：Uo = Ui 解： 首先判断二极管何时导通、截止。 Ui 5V ：Uo = 5V 例：已知：管子为锗管，Va = 3V，Vb = 0V。 试求：Vy = ? 先判二极管谁导通，导通后二极管起嵌位作用，两端压降为定值。 因：Va Vb 故：Da优先导通 Db截止 锗管导通压降为0.3V 则：Vy = 2.7V 解： 多个二极管时，压差大者优先导通！ 例：二极管的应用 ---- 检波 uo t t t ui uR uo 符号 稳压管进入稳压工作状态时，工作于反向击穿区！ 使用时要加限流电阻 稳压原理： 稳压管反向击穿以后，电流变化很大，但其两端电压变化很小。 稳压二极管 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 伏安特性 U I O 曲线越陡电压越稳 特殊的二极管 反向击穿时，稳压管并不一定损坏！ (1) 稳定电压 UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数 ?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 稳压二极管的主要参数: 例：已知：Uz = 12V，IZM = 18mA，R = 1.6KΩ。 试求：Iz = ? 限流电阻 R 的阻值是否合适？ 解： Iz = ( 20 – Uz ) / R = ( 20-12 ) / 1.6x103 = 5mA 因：IZ IZM 故：限流电阻 R 的阻值合适 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程 ①、② 可解得： uimin = 0.8ui → 流过稳压管的电流为 IZmin 能力目标： 掌握半导体三极管的放大原理。 能够识别常用半导体三级管的种类。 任务二十四： 半导体三极管 掌握检测三极管的质量及选用方法。 一、三极管的基本结构和分类 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分