掺杂氧化钒的制备及表征方法的研究-光学工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地 方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含 为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明 确的说明并表示谢意。 作者签名： 日期： 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁 盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文 的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或 扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 作者签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 万方数据 万方数据 摘要 摘 要 氧化钒作为一种性能优良的光电材料，在现代半导体器件以及光器件方面有 着巨大的应用前景。氧化钒具有十多种不同的结构，在这些结构中，应用和研究 最多的是 VO2 和 V2O5。VO2 是一种具有相变特性的热敏材料，随着温度的升高， 在 680C 附近能够发生从低温半导体相向高温金属相的转变，VO2 在相变前后的光 学电学特性将发生巨大改变，这种改变使 VO2 在智能窗口、微测辐射热计、光信 息存储等方面有巨大的应用前景。V2O5 具有良好的催化特性，被广泛的应用于各 种电致变色的催化剂，近年来 V2O5 在微测辐射热计方面的应用前景，也引起了人 们的关注。 纯净的氧化钒材料由于其性能有限，很难满足实际需求，所以一般通过掺杂 来提升其性能。本文通过直流磁控溅射法，制备出了夹层结构的 VO2/VMoOX/VO2 和 V2O5/Mo/V2O5 薄膜。通过测试分析其晶体结构、电阻温度特性和光学透过率， 探讨掺杂对于氧化钒性能的影响。论文研究的主要内容和相关结论有： 1．利用杂质原子的扩散效应，制备 VO2/VMoOX/VO2 薄膜，通过改变掺杂时 间和退火时间来改变杂质钼在薄膜中的扩散浓度，进而分析其光学、电学性能的 改变。分析结果表明 1，掺钼可以有效的降低薄膜的相变温度和室温电阻率，并且 掺钼对于薄膜的 TCR 也有一定的提升作用。溅射过程中的 O2/Ar 对薄膜的相变性 能和光学透过率影响很大，随着氧流量的增大，薄膜的光学透过率增加，并且相 变特性随着氧流量的增加而变得不明显，当 O2/Ar=5.0 时，其相变特性消失。 2．在上面制备掺钼 VO2 的基础上，通过增大氧流量，制备出 V2O5/Mo/V2O5 薄膜，通过对其性能的分析发现，杂质钼能够抑制薄膜中高价钒的生长，并且随 着杂质的掺入，薄膜的电阻率显著降低了。退火能够减少薄膜的缺陷增大 TCR， 但是当退火时间过长时，薄膜的 TCR 会随着退火时间的延长而降低。 通过以上的研究，我们对掺杂氧化钒的制备以及掺杂对于氧化钒性能的影响 有了更进一步的了解，研究表明，掺杂是有效改善氧化钒薄膜性能的方法之一。 关键词：磁控溅射，氧化钒，掺杂，电阻温度系数，方阻 I ABSTRACT ABSTRACT As a high-quality optoelectronic material, vanadium oxide has shown great potential for semiconductor devices and optical devices. Vanadium oxide has dozens of different crystal phase. And in these structures, VO2 and V2O5 have the most concerns because of their scientific value and potential of application. VO2 is a thermo-sensitive material which has thermal phase transition properties. With the increase of temperature, the semiconductor-to-metal phase transition will occur at approximately 68°C, with an abrupt change of optical and electric properties. And because of these changes, VO2 has great potential for smart window, micro bolometer, informati