多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊工艺探索与机理研究-材料工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 Classified Index: TQ404 U.D.C: 621.791.05 Dissertation for the Master Degree in Engineering BRAZING TECHNOLOGY AND MECHANISM OF POROUS Si3N4 CERAMIC AND INVAR ALLOY JOINTS Candidate： Wu Xiangyang Supervisor： Associate Prof. Liu Chunfeng Academic Degree Applied for： Master Degree in Engineering Speciality： Materials Engineering Affiliation： School of Material Sci. Eng. Date of Defence： July, 2014 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 哈尔滨工业大学工程硕士学位论文 哈尔滨工业大学工程硕士学位论文 摘 要 多孔 Si3N4 陶瓷是一种经高温烧成，体内具有数量巨大的彼此相通或闭合 气孔的一类新型的结构—功能一体化材料，具有普通陶瓷所不具备的低介电、 抗热震、抗氧化等新特性，从而成为超高速导弹天线罩的理想透波材料，在天 线罩的装配及使用的过程中，罩体材料必然要在其端部与金属环实现有效连接 才能获得所需要的成品构件。Invar 合金以其室温范围内极低的热膨胀系数成为 金属环的首选材料。因而本文开展了多孔 Si3N4 陶瓷与 Invar 合金的钎焊连接研 究，通过对钎料体系和钎焊工艺参数的优化达到控制钎焊接头界面组织以及提 高接头力学性能的目的。 采用 Ag-Cu-Ti 钎料钎焊连接多孔 Si3N4 陶瓷与 Invar 合金，研究了钎焊温 度和保温时间对接头组织及性能的影响。随着钎焊温度升高，接头内界面处残 余应力加剧，导致接头强度随温度升高而下降。随着保温时间的延长，接头强 度先增加后减少，当保温时间较短，界面反应不够充分，导致钎合率不高；而 保温时间过长，钎料中间层中的脆性化合物数量增加，亦会降低接头力学性能。 在钎焊温度为 1093K，保温 15min，接头室温剪切强度达到最高值 47.89MPa。 采用 Ag-Cu-Ti/Ti 复合钎料钎焊多孔 Si3N4 陶瓷与 Invar 合金，阐明了 Ti 箔 厚度及工艺参数对接头界面组织和性能的影响，母材之间及其与接头内组织的 热膨胀系数差异产生的残余应力以及钎焊接头中脆性化合物的形成都弱化接头 性能。接头剪切强度随着钎焊温度的升高逐渐降低，而随着保温时间的延长先 增加后降低；当 Ti 箔厚度从 20μm 逐步增加到 60μm 时，接头剪切强度先增加 后减少。在钎焊温度为 1093K，保温时间为 45min，复合钎料中 Ti 箔厚度为 30μm 条件下，接头剪切强度达到最大值 132.5MPa。在对接头组织进行分析的基础上， 结合热力学方法揭示了使用 Ag-Cu-Ti/Ti 复合钎料钎焊连接多孔 Si3N4 陶瓷与 Invar 合金的接头组织演化过程和连接机理：在陶瓷界面，钎料中 Ti 元素与 Si3N4 发生化学反应形成反应层而紧密结合；在 Invar 合金界面，钎料层与合金形成 牢固的冶金结合，最终得到结合良好的钎焊接头。 关键词：多孔 Si3N4 陶瓷；Invar 合金；复合钎料；钎焊 - I - Abstract Porous Si3N4 ceramics is a new structural and functional composite material with alarge quantity of connected and closed holes. It possesses low permittivity, thermal shock resistance and antioxidation, which traditional ceramic doesn’t have. Thus Porous Si3N4 ceramics is becoming the ideal wave-transparent materials of ultra-high-speed missile radome. In the process of the radome assembled and used, the radome meterial has to be effectively joined to metal ring, to obtain the product