掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究-材料科学与工程专业论文.docxVIP

摘 要 ZnO是一种宽禁带(Eg≈3:37eV)、直接带隙、II-VI族半导体材料，在室温下ZnO具有较大的 激子束缚能(≈60meV)，在晶格特性和能带结构方面与GaN有许多相似之处，拥有可以比拟的光 电特性，而且还具有更高的激子束缚能以及较低的生长温度，被认为是有望取代GaN的新一代短 波长光电子材料。要实现其在光电领域的广泛应用，必须获得性能良好的n型和p型ZnO材料。高 质量的n型ZnO很容易实现，但ZnO薄膜中存在本征缺陷，受主元素在ZnO中的溶解度较低及引入 的受主能级均较深，使得p型ZnO薄膜难以制备，从而影响了ZnO薄膜的应用，因此性能良好的p 型ZnO材料就成为了研究难点和重点。 围绕这一背景，本论文基于密度泛函理论的第一性原理方法，对本征ZnO以及掺杂ZnO进行 模拟研究。主要研究内容如下： 首先，研究了本征ZnO的电子结构，通过对能带结构、总体态密度及分波态密度的分析，说 明了ZnO为直接宽带隙半导体。 其次，研究分析了以Ⅲ族Ga原子对ZnO进行n型掺杂，在导带底出现掺杂原子贡献的大量电 子，引起ZnO体系电导率的提高。 然后，以N掺杂，Ga-N与Ga-2N共掺杂ZnO的方式分别进行p型掺杂，计算结果表明：N单独 掺杂时由于ZnO的自补偿作用，受主N在ZnO中的溶解度较低，因此难以实现p型掺杂。而Ga-N与 Ga-2N共掺杂能有效提高受主N的溶解度，提高ZnO体系空穴浓度，在价带顶附近形成浅受主能级， 有利于p型ZnO的形成。 最后，研究了Be掺杂，Mg掺杂，Be-2Mg与Be-4Mg共掺杂ZnO的电子结构，并分析了各种掺 杂对带隙的影响。 关键词：ZnO，密度泛函理论，第一性原理计算，电子结构，掺杂 I II II Abstract Zinc oxide (ZnO) is a direct wide band-gap (Eg≈3:37eV ) semiconductor of II-VI group, with a high exciton binding energy at room temperature (≈60meV). Compared with GaN, it has many similarities in the crystal lattice characteristics and the band structure, and has photo-electric properties which may compare, moreover, it also has a higher exciton binding energy as well as the low growth temperature, therefore, it was considered to be a new kind of photo-electric material in shortwave length as GaN. The applications of ZnO in photo-electric devices require both high quality p-type and n-type materials. High quality n-type ZnO is easy to receive. However, intrinsic defects of ZnO thin films, the low solubility of the p-type dopants and the deep acceptor level result that p-type ZnO thin film is difficult to prepare. Therefore, the p-type ZnO materials with good properties became the focus and difficulty of research. Regarding the research background, we take the first principles based on the density functional theory (DFT) as research technique to investigate natural ZnO and doped ZnO. The main contents are as follows: Firstly, the electronic structure of the natural ZnO was studied, through the analysis of the band structure, the total de