第9章 化学气相沉积（修订版）.ppt

化学气相沉积概述 Chemical Vapor Deposition (CVD) 技术的发展 * CVD概述 定义：通过化学反应的方式，利用加热、等离子体激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸气态物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态淀积物的技术。 对本章来说，固相产物是在气固界面以薄膜的形式产生。 特点： 成膜的种类范围广。可制作金属，非金属及多成分合金薄膜； 化学反应可控性好，膜质量高； 成膜速度快 (与PVD相比)，能同时制作多工件的均匀镀层； 在常压或低真空进行镀膜的绕射性好； 获得平滑的沉积表面； 纯度高，致密性好，残余应力小，结晶良好的薄膜。 * CVD概述 CVD薄膜沉积过程 最慢的步骤限制着反应速率的大小 * CVD概述 CVD技术所涉及的化学反应类型 * CVD概述 CVD技术所涉及的化学反应类型 * CVD概述 CVD分类、方法 按淀积温度分：低温 (200-500 oC)，中温 (500-1000 oC) 和高温 (1000-1300 oC) CVD。 按反应压力分：常压CVD、减压CVD (0.1~10 Torr) 、超高真空CVD (~10-7 Torr)等。 按反应壁温度分：热壁CVD、冷壁CVD。 按激活方式分：热CVD、光CVD、等离子体CVD等。 * CVD方法 热CVD * 定义：利用挥发性的金属卤化物和金属有机化合物等，在高温下发生气相化学反应，并在基板上沉积所需要的薄膜。 淀积机理：气相质量输运及表面反应速率的控制过程 特点： 优点：成膜速度快；可制备多成分的薄膜； 附着力强；膜纯度高、结晶性好。 缺点：反应温度太高，一般要达到1000 oC 左右。 可淀积的薄膜：Si外延薄膜；poly-Si、SiC等薄膜。 CVD装置简图 CVD方法 热CVD 反应器： * CVD方法 常压CVD (NPCVD) 定义：气相淀积在1个大气压下进行 (不采用真空装置) 淀积机理：气相质量输运控制过程 特点： 炉壁加热方式：射频加热/辐射加热等； 样品放置：倾斜/平置； 优点：淀积速率高，操作简便 缺点：均匀性较差、台阶覆盖差、 易发生气相反应，产生微粒污染。 可淀积的薄膜：Si外延薄膜；SiO2、poly-Si、Si3 N4 薄膜等。 * * CVD方法 常压CVD (NPCVD) 连续式常压CVD装置示意图 CVD方法 减压CVD (LPCVD) * 定义：在 10-103 Pa 压力下进行化学气相淀积 淀积机理：表面反应控制过程 优点：均匀性好（±3-5％，APCVD： ±10％）； 台阶覆盖好；薄膜中异物、杂质附着少。 缺点：淀积速率低 可淀积薄膜： poly-Si、 Si3N4 、 SiO2、PSG、BPSG、W等。 * 热壁型减压CVD装置图 CVD方法 减压CVD (LPCVD) CVD方法 等离子体增强CVD (PECVD) * 定义：激活气体分子（等离子体）；使其在低温（可低至室温）下发生化学反应，淀积成膜。 淀积机理：表面反应控制过程 PECVD沉积薄膜的原理图 * CVD方法 等离子体增强CVD (PECVD) 优点：温度低（200-350 ℃）；更高的淀积速率；附着性好；台阶覆盖好；电学特性好。 缺点：产量低 可淀积薄膜：金属化后的钝化膜（Si3N4）；多层布线的介质膜（Si3N4 、SiO2）等。 例如：淀积Si3N4薄膜时，采用NPCVD或LPCVD，一般需要1000 ℃高温，而采用PECVD，在300 ℃左右就可以完成。 CVD方法 等离子体增强CVD (PECVD) PECVD中等离子体产生方式： 二极直流辉光放电PECVD 射频电容或电感耦合PECVD 高密度PECVD ECR放电、 高频感应耦合、 螺旋波放电。 * CVD方法 光CVD (photo CVD) 工作原理：采用激光或紫外光加热以及光催化的方法将化合物催化分解，得到活性粒子，继而发生化学反应、并沉积成膜。 光源：激光器、紫外光源灯、Hg灯等。 * 特点： 单色光― 选择性化学反应，降低反应温度（SiO2，50℃），减少对膜污染，实现选择性成膜。 激光聚束性能好，可得到高能密度 109 W /cm2以上。 可以利用光束良好的空间分辨率和二维可控性实现局部修补，掺杂。 * CVD方法 光CVD (photo CVD) 低压汞灯为光源 2537埃和1849埃紫外辐射，反应室充入Hg蒸汽做触媒，被激励成为高能态的Hg*，再由Hg*碰撞将能量传递给反应气体。 缺点：有Hg污染 CVD方法 有机金属CVD (MOCVD) 目的： 制备高质量的半导体化合物薄膜材料，如：III-V、II-VI； 制备高密度FRAM等多组分铁电薄膜材料。 工作气体：低温高挥发性的