垂直记录磁极尖等离子体纳米级蚀刻加工技术的研究-机械工程专业论文.docxVIP

Classified Index: TG669 U.D.C: 651 Dissertation for the Master’s Degree of Engineering RESEARCH ON PROCESSING TECHNOLOGY BY NANO-PLASMA ETCHING FOR PERPENDICULAR RECORDING POLE TIP Candidate: He Dayao Supervisor: Associate Prof. Liu Shoubin Asst. Supervisor Dr. Ma Hongtao Academic Degree Applied for: Master of Engineering Specialty: Mechanical Engineering Affiliation: DG SAE Magnetics(H.K.) Ltd. Date of Defence: June, 2014 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 摘 要 等离子体加工作为一种纳米级超精密加工技术已被广泛应用于集成电路和 半导体加工领域。目前等离子体加工仍然面临着等离子体蚀刻速率对加工材料 的选择性，等离子束本身的均匀性及等离子体对加工表面的损伤等技术难题。 本文以不同堆叠材料构成的垂直记录磁极尖为加工对象，以等离子体加工 装置为平台，建立等离子体溅射的基本模型，研究等离子体对不同磁性材料及 非磁性材料去除速率的选择性和表面粗糙度的影响。分析不同工艺参数，包括 电离气体、入射角度、射频功率与去除速率和表面粗糙度之间的关系以及入射 能量对基材表面的损伤程度影响，得到可以形成磁极尖沉降差异的多步加工工 艺。 使用 Ar 和 O2 混合等离子体，当入射角度为 35°时对 AlTiC 非磁性材料表 面形貌加工效果显著。低能纯 Ar 等离子体对磁性材料和非磁性材料的去除速率 选择性可以形成极尖沉降差异，当入射角度为 35°时 AlTiC、Al2O3、NiCoFe、 NiFe 的去除速率比为 1：1.6：2.5：2.9。当入射角度为 70°时，高能纯 Ar 等离 子体可以在保持磁极尖沉降轮廓基本不变的同时增加整体去除量。高能等离子 体溅射可导致基材表面的损伤，当电栅偏压超过 400V 时离子损伤程度明显加 剧。 根据实验研究设计一套加工垂直记录磁极尖沉降的工艺步骤。实验结果基 本满足磁极尖沉降轮廓差异的的要求。根据离子束的分布特征研究一种补偿离 子密度分布的装置以改善蚀刻均匀性，速率波动可从 0.99±0.04?/s 被优化到 0.99±0.02?/s。 关键词：纳米精密加工；等离子体；离子溅射；去除速率；离子损伤 I - Abstract Nano-scale ultra-precision plasma processing technology has been widely used in integrated circuits and semiconductor processing. However, selectivity and uniformity of plasma etching rate and plasma damage control have been restricting its development. Base on different stacked perpendicular recording magnetic pole tip material and the model of plasma sputtering, the plasma processing apparatus, the influence of different gas source, RF power, incidence angle response of plasma process have been studied. The relationship among the removal rate, plasma damage, surface roughness and experimental parameters are analyzed. The experimental results are given as follows. For micro-texture (MT) on AlTiC non-magnetic material surface, mixture of argon and oxygen plasma w ith incident angle of 35 degree