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反铁电陶瓷聚苯乙烯复合材料介电可调性能的研究-微电子学与固体电子学专业论文
独创性声明
本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。尽我所知,除文中已经标明引用的内容外,本论文 不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研 究做出贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识 到,本声明的法律结果由本人承担。
学位论文作者签名: 日期: 年 月 日
学位论文版权使用授权书
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学位论文作者签名: 指导教师签名: 日期: 年 月 日 日期: 年 月 日
摘 要
陶瓷/聚合物复合材料由陶瓷和聚合物构成,具有介电常数大、损耗低、柔性等 优点,是目前研究的热点。在当前的研究工作中,大部分是关于其压电、热释电、 磁电等特性的研究。铁电陶瓷由于其损耗和介电常数较大,使得其作为陶瓷/聚合物 复合材料的基材不太符合理论模型,而且其介电常数在外部电场的作用下变化较小, 限制了其在电场调制器件中的应用。反铁电陶瓷具有较低的介电常数和损耗,在电 场、温度和压力等于外界作用诱导下,可以产生反铁电-铁电相变、晶格体积的突变, 引起介电常数的较大变化。但是国内外关于反铁电陶瓷/聚合物复合材料在电场作用 下介电可调的研究较少。本文从反铁电陶瓷的含量选择、有机-无机界面的修饰、导 电相的添加等三个方面对反铁电陶瓷/聚合物复合材料进行了系统的研究,为其在将 来用于电场调制器件奠定了基础。
在陶瓷含量选择上,本文选取了锆锡钛酸铅钡镧(PBLZST)和聚苯乙烯(PS) 作为制备复合材料的两种基材,研究了 PBLZST 的含量对 PBLZST/PS 介电性能、微 观结构的影响。PBLZST/PS 复合材料的介电常数、损耗、可调率会随着陶瓷含量的 增多相应提高。其中当 PBLZST 体积分数为 20%时,PBLZST/PS 复合材料的相对介 电常数、损耗正切值、可调率最低,分别为 10、0.009、0.1%,且两相之间的界面不 是十分清晰。当 PBLZST 体积分数为 80 %时,PBLZST/PS 复合材料的相对介电常数、 损耗正切值、可调率最高,分别为 51、0.055、4%,且样品中出现了大量的空洞和缺 陷。
针对陶瓷与聚合物的界面效应,本文通过添加硅烷偶联剂(KH550),研究了其 含量对 PBLZST/PS 的介电性能、微观结构的影响。与没有添加 KH550 的样品相比 较,添加后的介电常数有所增加,损耗有所减少,可调率也有所增大。其中当用 10 wt% 的 KH550 处理 PBLZST 时,PBLZST/PS 复合材料的相对介电常数达到 87,损耗角 正切值达到 0.007,可调率达到 7%。适量的 KH550 可以有效改善有机相和无机相的 界面效应,从而提高了 PBLZST/PS 复合材料的介电常数,降低损耗,还会在聚合物
表面形成一层单分子绝缘层,从而增大陶瓷相的局部电场,提高 PBLZST/PS 复合材
料的介电可调率。
最后在 PBLZST/PS 复合材料的介电可调率较低的问题上,本文研究了碳纳米粉
(C)、碳纳米管(CNT)、石墨烯片(GNS)三种导电相对样品介电性能的影响。当 C 粉含量在 1wt%,外加电场在 100 V/mm 时,其最大可调率是 48%。当 CNT 含量在 0.4 wt%,外加电场在 100 V/mm 时,其最大可调率是 40%。在 GNS 含量在 0.6 wt%, 外加电场在 100 V/mm 时,其最大可调率是 25%。适量的导电相在 PBLZST/PS 复合 材料中一方面可以通过提高聚合物的电导率,来提高电场在陶瓷粒子上的分布率, 另一方面通过在复合材料中 PBLZST 粒子之间形成少量导电通路,来提高陶瓷粒子 上的电场分布率。
关键词:复合材料;反铁电陶瓷;聚苯乙烯;界面;导电相
Abstract
Ceramic/polymer composites with high dielectric constant, low dielectric loss and good flexibility are made from ceramics and polymers, which are the hotspot in the research of composite materials. In the research of ceramic/polymer c
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