渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ ( ##( ( ， ， ， ?70 J’’ [7 J( \G=/ ##( （ ） ###;%S#F##(F’’ #( FS$;#K 5X5 EOZ.D5 .D[D5 $##( 93= J E9]B J .71 J 渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备 高质量!#$%’ 多量子阱材料! ! 赵 谦 潘教青 张 靖 周 帆 王宝军 王鲁峰 边 静 安 欣 赵玲娟 王 圩 （中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心，北京 ###$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ##’ ’ ##( ) 采用超低压（ ）选择区域生长（ ， ）金属有机化学汽相沉积（ *+,- ./0/1234/ 5-/, 6-7829 .56 :/2,0;7-,=31 9/*31,0 ?,@7- A/@7B3237=， ）技术成功制备了高质量 多量子阱（ ， ）材料 在 :C?A D=6,5BEF D=6,5BE :G023@0/ HG,=2G* I/00 :HI J 较小的掩蔽宽度变化范围内（ — ），得到了 的光荧光（ ， ）波长偏移量， 半高宽（ ’ %# * K(=* E97270G*3=/B1/=1/ EL EL MG00; ! I3N29;,2;O,0P;:,Q3*G*， ）小于 为了保证选择区域内的 材料的均匀性，我们采用了新型的渐变 MIO: %# */? J :HIB 掩蔽图形，并且运用这种新型渐变掩蔽图形，研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响J 我们还观察到，渐变 区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象J 关键词：超低压，选择区域生长，渐变掩蔽图形 ： ， ’%(( )$#R $’O 的生长速率 本文采用超低压（ ）选择区域生 J *+,- W 引 言 长法在 =;D=E 衬底上制备了具有高结晶质量的 （） 材料： 半高宽（ D=6,5B E F D=6,5BE :HIB EL MG00; .56 方法是在平面衬底的特定区域制作介质 ， ）小于 同时， I3N29