电力电子技术王兆安第五版第2章-精选（公开课件）.ppt

IGBT耐压可达2500~3300V，耐流可达800~1800A，明显高于MOSFET。 IGBT开关频率可达10~40KHZ，高于BJT。 IGBT广泛用于中小功率，尤其在PWM控制的电力电子装置中占据重要地位。 4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位，利用8KV/3.5KA光控晶闸管构成的300MV.A容量的电力电子装置是目前最大的电力电子装置。 思考： 1 下图为一晶闸管调试电路，以检测晶闸管工作后输出电压是否正确，调试中发现Rd断开电压表读数不正常，而Rd接通读数正常，请分析原因。 u2 Q Ud v Rd 2 下图中，要使晶闸管VT导通，门极触发信号最小要维持多长时间？ 已知：E=50V，R=0.5Ω, L=0.5H, IH=10mA, IL=15mA。 3 型号为KP100-3、IH=4mA，晶闸管在下图中应用是否合理？为什么？（不考虑裕量） 2.4 典型全控型器件 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 2.4.1 门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管（GTO） 晶闸管的一种派生器件 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，耐压耐流可达6KV和6KA，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 1. GTO的结构和工作原理 结构： 工作原理： ?1+?2=1是器件临界导通的条件。当?1+?21时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当?1+?21时，不能维持饱和导通而关断。开通原理和SCR一样。 设计时?2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断。 iB2+ic2=ik ic2=α2．ik ik=iB2/(1- α2)=iA iB2 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： (1) 设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断。 (3) 多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间 距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。 (2) 导通时?1+?2更接近1（?1.05，普通晶闸管?1+?2?1.15）导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 2. GTO的主要参数 —— 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1~2?s。 —— 一般指储存时间和下降时间之和，GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2?s。 关断时间toff 开通时间ton 3) 最大可关断阳极电流IATO 电流关断增益?off ——GTO额定电流。 ——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。 ?off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 GM ATO off I I = β 术语用法： 电力晶体管（GTR，巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT） 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，耐压和耐流可达1.5KV,1KA, 可在10KHZ以内开关频率下工作。现商品化的GTR耐压、耐流不超过1200V，800A。 2.4.2 电力晶体管 1. GTR的结构和工作原理 开通和关断可由基极电流来控制，故称为全控型器件和电流型驱动器件。 开通条件：Uce正偏，提供基极电流。 关断：I b小于等于零。 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 2. GTR的基本特性 (1)? 静态特性 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 3. GTR的主要参数 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿 实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比BUceo（基极开路时，集电极和发射极间的击穿电压）低得多。 2)?集电极最大允许电流IcM 通常规定为hFE（电流放大系数）下降到规定值的1/2-1/3时所对应的Ic 实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。 3) 集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率 4. GTR的二次击穿现象与安全工作区 一次击穿 集电极电压升高至击穿电压时