掺氮氧化硅栅介质对0.13um+CMOS器件12ff噪声特性影响的-研究.pdf

r e su l t s s h ow t h a t t h e g a t e d ie l e e t r ie w it h n it r o g e n a t t h e 5 1一5 10 2 in t er fa ee ha s s ig n if iean t im p a e t on 0 . 13 p m CM O S d ev ie e l/ f n o ise . It s m e e h a n i sm e o u ld b e t h a t t h e 5 1一N b o n d r eP la e e s t h e d i s t o r t e d 5 1一0 b o n d a t 5 1一5 10 2 in t e r f a e e ， a n d r e d u e e s th e s tr u e t u r a l t r a n s i t io n la y er ’ s s 七r e s s ， t h e n e h a n g e s t h e su b s t r a t e su r f a e e la t t ie e s t r u e t u r e ， e n h a n e e s 七h e e a r r ie r s s e a t t e r in g b y P h o n o n P o P u la t io n ， a n d r e su l t s in C M O S d ev ie e s l/ f n o is e d e ter ior a t io n . A P r o e e s s e o u l d P r e 一n 1 t r o g e n 一d o P e d 5 1一5 10 : 1n t e r f a e e n e a r 5 10 2 t o b e e h a n g e t h e n i t r o g e n d i s t r ib u t io n f r o m s u r f a e e w h ieh r e du e e s 0 . 13 协m CM OS dev ie e l/ f n o ise b y 14一Z O dB . d e v e lo P m e n t ， a n o n l in e In n it r o g e n 一d o p e d g a t e d ie l e e t r ie P r 0 C e S S