《第二章晶体结构与晶体中的缺陷》-课件.ppt

《第二章晶体结构与晶体中的缺陷》-课件.ppt

  1. 1、本文档共87页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第二章 晶体结构与晶体中的缺陷 一、典型晶体结构 NaCl型;闪锌矿结构;萤石结构; 钙钛矿结构; 二、硅酸盐晶体结构 三、晶体结构缺陷 点缺陷 第二章 晶体结构与晶体中的缺陷 §2.1 典型结构类型 1. 金刚石(C) 立方晶系 2. 石墨(C) 六方晶系 同质多晶现象:化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下,结晶成结构不同的晶体的现象。 描述结构的方法 (1)坐标系法 Cl-:000, ? ? 0, ? 0 ? ,0 ? ? Na+: 00 ? , ? 00,0 ? 0, ? ? ? (2)球体紧密堆积法 Cl- 按立方面心紧密堆积,Na+填充全部的八面体空隙 (3)配位多面体及其连接方式 NaCl是由Na-Cl八面体以共棱的方式连接而成的。 MgO具有NaCl结构,根据O2-半径0.140nm和Mg2+半径为0.072nm,计算① 球状离子所占据的空间分数(堆积系数);② MgO的密度。 解:① MgO属于NaCl型结构,即面心立方结构,每个晶胞中含有4个Mg2+和4个O2-,故MgO所占体积为 VMgO=4×4/3π(RMg2+3+RO2-3) =16/3π×(0.0723+0.1403) =0.0522(nm3) ∵Mg2+和O2-在面心立方的棱边上接触 ∴a=2(RMg2++RO2-)=2×(0.072+0.140)=0.424nm ∴堆积系数=VMgO/V晶胞=0.0522/(0.424)3=68.5% ②DMgO=mMgO/V晶胞=n.(M/N0)/a3 =4×(24.3+16.0)/[(0.424×10-7)3×6.02×1023] =3.51g/cm3 作业: 在萤石晶体结构中,Ca2+半径0.112nm,F-半径0.131nm,萤石晶胞棱长为0.547nm,求: ⑴萤石晶体中离子堆积系数 ⑵萤石的密度 ⑶ 性质特点 链内:Si4+-O2- 结合键强 链间: M+ -O2- 结合键弱 ∴性质表现为柱状或纤维状解理。 4. 层状结构 ⑴ 结构特点 [SiO4]4-以三个在同一平面的O2-(桥氧)将其连接成(六元环)向二维方向无限延伸成片状。 另一个非桥氧与金属离子M、OH-形成[M(O,OH)6]x-; M与O2-,OH-形成6配位,处于八面体空隙; 若为M2+,则M2+填充全部八面体空隙; 若为M3+, 则M3+填充全部八面体空隙的2/3。 (2) 类型 二层型(单网层): 一层[SiO4]4-+[M(O,OH)6]x-; 三层型(复网层) 二层相对的[SiO4]4-层夹一层 [M(O,OH)6]x- ⑶ 高岭石结构 a. Al3+的配位数及配位多面体? CN=6, Al3+ 与2个O2-和4OH-离子同时配位,形成[AlO2(OH)4]八面体 2个非桥氧将[SiO4]4-层和水铝石层连接起来 b. Al3+填充空隙的情况如何? 填充八面体空隙的2/3 c. 各负离子的电价是否饱和? 桥氧:O2-同时连接两个Si4+,饱和 非桥氧: O2-同时连接一个Si4+,两个Al3+ ,饱和 OH-:连接两个Al3+ ,饱和 d. 单元层之间的结合力? 氢键:强,单元层之间水分子不易进入,可以交换的阳离子容量小。 范德华力:弱,单元层之间有水分子不易进入。 e. 晶体性质? 层间结合力强,水分子不易进入层间,与水拌和体积不膨胀,泥料可塑性差(黏土-水系统解释)。 层内力远远大于层间力,容易形成片状解理。 ⑷ 蒙脱石结构 单元层间:范德华力,弱。 [SiO4]4-中的Si4+被Al3+取代(同晶取代)为平衡电价,吸附低价正离子,易解吸,使颗粒荷电,因此使陶瓷制品因带某些离子具有放射性。 性质: 加水体积膨胀,泥料可塑性好。 作业:判断下列硅酸盐的晶体结构,要求写出判断依据。 γ-Ca2[SiO4] K[AlSi3O8] CaMg[Si2O6] Mg2Al[AlSiO7] Mg3[Si4O10](OH)2 §2.3 晶体结构缺陷 晶体结构缺陷的类型 点缺陷 固溶体 非化学计量化合物 线缺陷 面缺陷 缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体:存在着各种各样的结构的不完整性。 晶体结构缺陷的类型 分类方式:  几何形态:点缺陷、线缺陷、面缺陷等  形成原因:热缺陷、固溶体、非化学计量化合物等 一、点缺陷(零维缺陷) ? 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上,即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 1.类型 ① 根据点缺陷对理想晶格偏离的几何位置分类 a. 空位(vacancy) 没有被占据的正常结点的位置 b. 间隙质点(interstitial part

文档评论(0)

沙卡娜 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档