硅基发光器件及其构成的光互连系统-研究.pdfVIP

4.4.1. 肖特基势垒Si-LED 电学特性测试50 4.4.2. 肖特基势垒Si-LED 光学特性测试 50 4.5 MOS 隧道 Si-LED52 4.5.1. MOS 隧道 Si-LED 电学特性测试53 4.5.2. MOS 隧道 Si-LED 光学特性测试53 4.6 多晶硅 PIN Si-LED54 4.6.1. 多晶硅 PIN Si-LED 电学特性测试56 4.6.2. 多晶硅 PIN Si-LED 光学特性测试56 4.7 本章小结59 第五章 光互连系统设计与展望60 5.1 片上光互连系统60 5.1.1. 与 CMOS 兼容的单片集成 60 5.1.2. 标准 CMOS 下的单片集成 62 5.2 总结与展望66 参考文献68 发表论文和参加科研情况说明73 致 谢74 ii 第一章 绪论 第一章 绪论 以硅材料为基础的微电子技术，是现代电子计算机、自动化控制、电子通信 等领域发展的基础，也体现着一个国家科技实力的强弱。然而随着科学技术的飞 速发展，人们对于信息的传输速度、储存能力、处理功能等，也提出了更高的要 求，日益凸显了单纯的硅集成电路芯片的局限性。一方面，半导体集成电路的制 造技术经历了革命性的发展。自从1958 年德州仪器的杰克·基尔比(Jack S. Kilby) 发明集成电路以来，50 多年来，半导体制造技术的发展已经大大提高了传统硅 芯片的集成度。 1971 年，英特尔公司生产的第一个芯片大约只含有 2300 个晶 体管，2000 年，英特尔的奔腾 4 芯片则集成了 4200 万个晶体管，使用的工艺线 宽为 0.18µm，而从 2006 年开始发布的酷睿系列处理器则集成了超过 10 个亿晶 体管，使用 45nm 工艺。该公司的奠基人之一摩尔早在 20 世纪 70 年代便提出了 著名的摩尔定律：集成在一块芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍，性能也 将提升一倍。 然而，面对如此高密度的晶体管集成，芯片内部晶体管之间的互连布线变得 无比复杂，从而导致芯片速度无法进一步提升，同时内部串扰现象严重，散热和 耗能问题也很难克服。另一方面，由于信息量的爆炸性增长，人们对于信息处理 能力、信息存储能力和信息传输速度的要求也越来越高。而传统的电互连系统存 在着 RC 传输延迟，更大的集成度意味着更长的互联线。即使在最小线宽处于纳 米级的集成电路芯片中，采用低电阻率的 Cu 布线和低 K 介质材料已经很难有效 地减少 RC 延迟，这使集成电路芯片突破纳秒级的响应速度变得很困难，很难进 一步提升信息处理、传输速度和更大的存储能力。因此传统的硅集成电路芯片在 速度和集成度方面的发展不可避免地出现了“瓶颈”。 一直以来，人们都对光进行信息处理、存储和传输充满着兴趣，利用光纤进 行信号传输更是已经取得了巨大的成功。然而从目前条件看，拥有高速、并行优 点的光学计算系统仍然处在研究当中，距离实用还有很长的距离。于是，人们想 到以高度发展的微电子工艺技术为基础，把光子引进集成电路芯片也作为信息的 一种载体，将电路和光路集成在一起，发挥各自优势，形成光电集成回路 (Optoelectrical Integarted Circuits,OEIC) 。采用光来传输信号的优点在于更高的系 统响应速率、信息处理速度和交叉互连密度，同时减少电磁串扰和能量损耗，从 而有望解决电互连系统中出现的“瓶颈”，能够给目前集成电路工作速度和信息 存储能力带来质的飞跃。值得一提的是，硅基材料在波导的制造、光开关及调制 器、光电探测器以及光多路分束器方面已经不存在太大的技术问题，缺乏有效的 发光器件是影响硅基光电子器件集成的主要障碍。 1 第一章 绪论 我们知道，一方面，硅是间接带隙材料，又