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高压大容量IGBT测试技术剖析 　　摘 要：近年来，IGBT被广泛应用于电力电子行业中，且表现出良好的应用前景。因此，极有必要建立与高压大容量IGBT相匹配的测试平台及与之配套的测试方法。IGBT相关参数包括动态参数、静态参数两种类型。为此，文章主要从动静态参数两个方面讨论IGBT的测试方法。 　　关键词：IGBT；动态参数；静态参数；测试方法 　　引言 　　近年来，大功率电力电子变流技术逐渐受到社会各界的关注，与此同时，IGBT器件等串联技术逐渐成为当今社会研究的重点，以适应高压大容量的应用要求。从测试条件来讲，IGBT参数包括动态参数、静态参数两种类型，其中IGBT动态参数是IGBT开关动作中的相关参数，如上升/下降时间、导通/关断延迟时间等；IGBT静态参数是IGBT固有的参数，如开启电压、门极击穿电压等。IGBT静态参数多且复杂，若参数不同，则测试方法、测试设备也有所差异。当前，IGBT静态参数测试仍以单独参数的测试为主。IGBT动态参数测试平台多以双脉冲测试为技术支撑，即以变换测试电路的工作状态来获得相应的动态特征。结合上述内容，文章主要从动静态参数两个方面浅析高压大容量IGBT测试方法。 　　1 IGBT静态参数测试方法研究 　　IGBT静态参数多且复杂，同时不同参数的测试方法也不同。为此，文章仅就下列较为重要的参数的测试方法进行研究。 　　1.1 门极参数VGES及IGES测试 　　VGES是门极击穿电压，VGES、IGES的测试流程为：CE短接→VGE每隔0.1V由0V开始上升→采集电流信号→绘制门极击穿曲线→求得击穿时的临界门极电压→确定VGES及IGES。然而，门极漏电流IGES为pA级，因此难以保障采集结果的准确度。鉴于此，本测试仅判断是否击穿器件门极，具体选用具备GPIB通信功能的2611数字源表。2611数字源表的关键参数为：电压源的最大电压、精度分别为200V、0.02%；电流源的最大电流、精度分别为10A、0.03%；电压、电流的量程与精度分别为200V/0.05%、10A/0.02%。据此可知，2611数字源表能为VGES与IGES测试提供精度较高的电压源、电流源及测量结果。 　　1.2 门极参数VGE（th）测试 　　VG（th）是开启电压，具体测试步骤为：IGBT GC端短接→将一个可调型电压源接入CE端→电压源每隔0.01V由0V开始上升，直至电流表所测到的电流Ic值与限定值吻合→确定门极电压与开启阀值相符，注意此电流阀值由器件固有的技术规格而定（100～200mA）。VGE（th）测试所用的测试设备与VGES相同。 　　1.3 功率端参数VCES及ICES测试 　　功率端参数VCES是集电极发射极间耐压；ICES是集电极发射极间漏电流，VCES、ICES的测试流程为：IGBT CE端短接→电压源以阶梯形式升至击穿的临界状态→以限流电阻R来限制回路的最大可通行电流，以防IGBT击穿损坏器件。限流电阻R满足下列函数式：R=VCES /[（1-10）Ic /106]，式中R的取值由被测器件的额定电流而定。VCES、ICES测试所用的测试设备为高压源SR15-X-1200、数字万用表DMM4050。 　　1.4 Cies、Coes及Cres测试 　　输入电容测试是测量IGBT接入偏置电压时的寄生型输入电容Cies。输入电容Cies满足下列函数式：Cies=Cge+Cgc。据此可知，在测量时，需将IGBT集-射极之间寄生电容Cce的作用排除，即将一个电容（1uF）并联在集-射极之间来屏蔽Cce。Cce的容值相当小（10nF），并联后的容值为1nF左右，此时再与IGBT的内部电容Cge串联起来，以屏蔽1nF电容。在栅射极之间加入10M电阻，以发挥虚短路的作用，从而维持IGBT的稳定状态。在电源与IGBT发射极、集电极之间加入1M电阻，以免电源对电路测量产生不利影响。在LCR栅极与电桥之间加入1uF电容，以免在仪器设备上直接接入直流电压，从而确保测量的高精准度及设备的安全性。输出电容Coes、转移电容Cres的测试原理与输入电容Cies相同，文章不做过多阐释。 　　2 IGBT动态参数测量方法研究 　　与静态参数测量相比，IGBT动态参数测量的方法较为简单，多采用双脉冲测试，注意此测试方法对测试装置及后期数据的处理要求相当高。此外，测试电路对寄生电感的要求非常小，但对电压与电流的采样及相对延时的要求却相当高，以确保测试参数的高准确度。 　　2.1 双脉冲测试 　　双脉冲测试所用的电路为感性负载的测试电路。双脉冲测试具有驱动信号包含两个脉冲的特点，两个脉冲的作用如下：第一个脉冲是确保流经器件的电流与测试所需的电流值相符；第二个脉冲是检测被测器件的开通波形，注意两个脉