磁场增强高功率脉冲磁控溅射放电特性及TiAlN薄膜制备研究-材料加工工程专业论文.docx

万方数据 万方数据 Classified Index: TG174 U.D.C.: 621.785 Dissertation for the Master Degree in Engineering DISCHARGE CHARACTERISTICS OF MAGNETIC FIELD ENHANCED HIGH POWER IMPULSE MAGNETRON SPUTTERING AND PREPARATION OF TIALN FILMS Candidate: Bi Mingkang Supervisor: Prof. Tian Xiubo Academic Degree Applied for: Master of Engineering Specialty: Materials Processing Engineering Affiliation: School of Materials Science and Engineering Date of Defence: July, 2014 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 摘 要 TiAlN 薄膜具有高硬度、耐摩擦磨损和耐腐蚀等优点，是目前应用最广泛 的刀具涂层材料。传统磁控溅射的金属离化率一般低于 10%，溅射粒子大多以 原子状态存在，从而导致薄膜的结合力较差。高功率脉冲磁控溅射技术(HIPIMS) 可以弥补这一缺点，其具有峰值功率高、等离子体密度高和金属离化率高等特 点，成为制备 TiAlN 薄膜的优良方法。 本文采用辅助磁场进一步提高系统的离化率，并研究了磁场增强条件下 TiAl 合金靶高功率脉冲磁控溅射放电特性。在 M2 高速钢上采用磁场增强高功 率脉冲磁控溅射技术制备 TiAlN 薄膜，并研究了线圈电流、脉冲电流、氩氮流 量比和工作气压等工艺参数对 TiAlN 薄膜膜层形貌、膜层成分、相结构、硬度、 摩擦磨损性能和膜基结合力等的影响。 等离子体放电特性研究结果表明，辅助磁场可以显著提高基体电流；靶电 流和基体电流随工作气压和放电电压的增加而增加，随复合直流的增加而降低； 与纯Ar气放电相比，N 2 的加入可以增加系统中的二次电子，靶电流和基体电流 均显著增加，并随N 2 流量的增加，靶电流和基体电流先快速增加然后趋于稳定。 TiAlN 薄膜微观组织结构研究表明，磁场增强下制备的 TiAlN 薄膜表面平 整，表面粗糙度较小，在 4nm~10nm 之间。TiAlN 薄膜呈致密的柱状晶结构， 不同工艺参数下制备的 TiAlN 薄膜中 Al/Ti 原子比均高于 1.7，随线圈电流、氮 气流量和工作气压的增加，Al/Ti 原子比均是先增加后降低；随脉冲电流增加， Al/Ti 原子比逐渐增加。TiAlN 薄膜中主要以 TiAlN(200)和 TiN(220)衍射峰为主， 同时还出现了 h-AlN 的(1010)衍射峰。 薄膜力学性能研究表明，辅助磁场可以显著提高薄膜的硬度和弹性模量， 最大可达到 32GPa 和 391GPa。TiAlN 薄膜具有良好的耐摩擦磨损性能，摩擦系 数最小为 0.25，线圈电流对摩擦磨损性能影响显著，随着线圈电流的增加，摩 擦系数明显降低。所制备的 TiAlN 薄膜具有良好的膜基结合力，临界载荷最高 超过了 50N，结合强度可达到 HF1，膜基结合力随线圈电流的增加而增加，随 脉冲电流和工作气压的增加先增加后降低，随氮气流量的增加而降低。 关键词：磁场增强；高功率脉冲磁控溅射；放电特性；TiAlN 薄膜 -I- Abstract TiAlN films are widely used as the tool coating because of high hardness, resistance to friction and abrasion and high corrosion resistant. For conventional magnetron sputtering technology, the adhesion between film and substrate is poor, sputtered particles mostly exist in atomic state due to the ionization rate is lower than 10%. High power impulse magnetron sputtering technique is an excellent method for preparation of TiAlN films fe