微电子期中试题与答案.pptVIP

* 填空题 饱和区 发射结正偏，集电结正偏。 三极管导通 截止区 发射结反偏，集电结反偏。 三极管断开 放大区 发射结正偏，集电结反偏。 起放大作用 ＵＥ＝ＥＣ－ＩＣＲＣＩＣ＝βＩＢ 2、MOS晶体管是（ 电压）控制元件，同时它也 是（单）极型元件，因为其沟道形成后只有（ 多 数载流子）参与工作。 3、半导体制造工艺主要有（ 图形转换（光刻、 刻蚀） ）、（制膜（氧化、淀积））、（掺杂 （扩散、离子注入））等工艺。 4、MOS晶体管输出特性曲线可以分为三个工作 区域，分别是（截止）区、（线性（线性电阻区） ）区和（饱和（恒流区））区，其中（饱和区） 区是MOS管工作于模拟放大的状态。 5、CMOS电路的功耗可分为（静态）功耗和（动 态）功耗。其中后者又包括（开关）功耗和短路 功耗。 开关电流产生的动态功耗（80％） 由扩散区和衬底之间的反向偏置漏电流产生的静态功耗 动态情况下P管和N管同时导通时的短路电流产生的动态功耗 6、静态CMOS逻辑电路是由（PUN(上拉网络)） 和（PDN（下拉网络））构成，其中（PDN） 是NMOS型晶体管，（PUN）是PMOS型晶体管。 PDN由NMOS器件构成，而PUN由PMOS器件构成。理由是NMOS管产生“强0”而PMOS管产生“强1”; 在数字电路中，MOS器件是作为开关使用，MOS管导通相当于接通开关，MOS管截止时相当于断开开关； NMOS导通的作用是将输出拉到低电平，称为下拉开关； PMOS导通的作用是将输出拉到高电平，称为上拉开关； 简答题 E区掺杂浓度高，B区很薄，C区区域大。 以NPN管为例，工作于放大状态时，E结正偏，以多数载流子扩散运动为主，C结反偏，以少数载流子漂移运动为主。 E区高浓度电子扩散到B区，由于扩散到B区电子浓度高，部分电子被B区空穴复合产生复合电流Ib，大部分扩散来B区又未被复合的电子是少数载流子，在C结反偏电压形成的电场作用下，被拉到C区，即漂移到C区形成电流Ic，Ic 与Ib呈比例关系，也即Ic /Ib≈β。BJT是双极型晶体管，是电流控制元件。 E结零偏或反偏时，没有Ib电流形成，晶体管不导通，工作于截止状态。E结正偏、C结正偏时，Vce≈0.3V左右，不随Ic变化而变化，晶体管工作于饱和导通状态。 若输入为“1”(Vin= VDD)： VGSN = VDD ， VGSP = 0V NMOS导通，PMOS截止 输出“0” (Vout = 0V) Vin=VTN的垂直线：NMOS截止/导通 Vin=VDD+VTP的垂直线：PMOS导通/截止 Vin－VTN=Vout的斜线：NMOS饱和区/线性区 Vin－VTP=Vout的斜线：PMOS线性区/饱和 设TP:|VTP|=2V， TN:VTN=2V ?I的变化范围为－5V到+5V。 ?5V +5V ?5V到+5V ?GSN VTN, TN截止 ?GSP=5V ? (-5V到+5V)=(10到0)V 开关断开，不能转送信号 ?GSN= -5V ? (－5V到+5V)=(0到-10)V ?GSP0, TP截止 1）当c=0， c =1时 c=0=-5V， c =1=+5V C T P v O / v I v I / v O +5V – 5V T N C +5V ?5V ?GSP= ?5V ? (－3V~+5V) =?2V ~ ?10V ?GSN=5V ? (－5V~+3V)=(10~2)V b、?I=?3V~5V ?GSNVTN, TN导通 a、?I=?5V~3V TN导通，TP导通 ?GSP |VT|, TP导通 c、?I=?3V~3V 2）当c=1， c =0时 由2n+1个非门闭环构成测试电路如图所示，使用环形振荡器测量电路的工作频率及延迟时间。 分析应用题 时序电路，可画出其clk、D、QM、Q的时序波形图，由时序波形图可知图位D型边沿触发器，上升沿触发有效，D_N信号输入。电路结构为主从式触发器，master和slave分别由2个传输门和3个非门构成，clk经由2个非门连接master和slave的传输门控制端。 *