模拟电子技术（学军）第1章 晶体二极管及其基本电路.pptVIP

第0章 绪 论 电子技术基础是一门技术基础课，应有工程的观点，采用工程近似的方法简化实际问题。 接近工程实际，认真对待模拟电子技术实验课程，巩固理论知识，掌握基本实验技能。 第1章 半导体二极管及其基本电路 1―1 半导体物理基础知识 1―2 PN结 1―3 半导体二极管及其基本电路 1―4 特殊二极管  1―1 半导体物理基础知识 1.半导体材料： 主要是硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等。 它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，并且会随温度、光照或掺入某些杂质而发生显著变化。 纯净的单晶半导体称为本征半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。 在本征硅和锗的单晶中，原子按一定间隔排列成有规律的空间点阵(称为晶格)。四个价电子与相邻的四个原子中的价电子分别组成四对共价键，依靠共价键使晶体中的原子紧密地结合在一起。 共价键中的电子，由于受到其原子核的吸引，是不能在晶体中自由移动的，所以是束缚电子，不能参与导电。 一、半导体中的载流子——自由电子和空穴 2．载流子浓度：载流子浓度越大，复合的机会就越多。在一定温度下，当没有其它能量存在时，电子、空穴对的产生与复合最终达到一种热平衡状态，使本征半导体中载流子的浓度一定。理论分析表明，本征载流子的浓度为： 3.结论： 本征半导体的导电能力是很弱的； 本征载流子浓度随温度升高近似按指数规律增大（由式1-1可知），所以其导电性能对温度的变化很敏感。 一、N型半导体 在本征硅(或锗)中掺入少量的五价元素，如磷、砷、锑等，就得到N型半导体。这时，杂质原子替代了晶格中的某些硅原子，它的四个价电子和周围四个硅原子组成共价键，而多出一个价电子只能位于共价键之外，如图1―4所示。 二、P型半导体 在本征硅(或锗)中掺入少量的三价元素，如硼、铝、铟等，就得到P型半导体。这时杂质原子替代了晶格中的某些硅原子，它的三个价电子和相邻的四个硅原子组成共价键时，只有三个共价键是完整的，第四个共价键因缺少一个价电子而出现一个空位，如图1--5所示。 三、杂质半导体的载流子浓度 在杂质半导体中，尽管掺入的杂质浓度很小，但通常由杂质原子提供的载流子数却远大于本征载流子数。因此，在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要由掺杂浓度决定。 杂质半导体中的少子浓度，因掺杂不同，会随多子浓度的变化而变化。在热平衡下，两者之间有如下关系：多子浓度值与少子浓度值的乘积恒等于本征载流子浓度值ni的平方。即 对N型半导体，多子nn与少子pn有 结论： 本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体内载流子的浓度，并使一种载流子多，而另一种载流子少。 多子浓度主要取决于杂质的含量，它与温度几乎无关；少子的浓度则主要与本征激发有关，因而它的大小与温度有十分密切的关系。 1―1―3半导体中的电流 在半导体中有两种电流：漂移电流（漂移运动）和扩散电流（扩散运动）。  二、扩散电流（扩散运动） 1．定义：因某种原因使半导体中的载流子的浓度分布不均匀时，载流子从浓度大的地方向浓度小的地方作扩散运动，形成的电流。 2．扩散电流主要取决于载流子的浓度差（即浓度梯度）。浓度差越大，扩散电流越大，而与浓度值无关。  反映在浓度分布曲线上(见图1―6)，即扩散电流正比于浓度分布线上某点处的斜率dn(x)/dx(dp(x)/dx)。 1―2 PN结 通过掺杂工艺，把本征硅(或锗)片的一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，这样在它们的交界面处会形成一个很薄的特殊物理层，称为PN结。 PN结是构造半导体器件的基本单元。其中，最简单的晶体二极管就是由PN结构成的。因此，讨论PN结的特性实际上就是讨论晶体二极管的特性。 1―2―1 PN结的形成 P型半导体和N型半导体有机地结合在一起时， 开始时，扩散运动占优势，随着扩散运动的不断进行，空间电荷区展宽，使内电场不断↑，漂移运动随之↑ ，而扩散运动相对↓。最后，使扩散和漂移运动达到动态平衡。平衡时，空间电荷区的宽度一定，UB也保持一定，如图1―7(b)所示。 对称PN结：如果P区和N区的掺杂浓度相同，则耗尽区相对界面对称，称为对称结。见图1―7(b) 不对称PN结：如果一边掺杂浓度大(重掺杂)，一边掺杂浓度小(轻掺杂