低介低损耗LTCC材料研制及基于该材料的阵列天线设计-电子信息材料与元器件专业论文.docx

I I 摘 要 摘 要 随着无线通信系统的快速发展，人们对微波介电材料的需求急剧上升。由于 越来越多的器件应用于微波段且尺寸小集成度高，促进了低温共烧陶瓷技术 （LTCC）的快速发展，拥有低的烧结温度（ 950 ℃），高的品质因数（Q×f）和 低介电常数（εr）的介电基板材料是 LTCC 发展的基础。ZnO-SiO2 作为一种拥有高品 质因数和低介电常数的重要陶瓷材料，在最近几年被广泛研究应用于 LTCC 领域。 低熔点的玻璃掺杂是最常用的降低电子陶瓷烧结温度的方法。然而，对于拥 有极高烧结温度的陶瓷材料，如 Zn2SiO4，常常需要加入大量的玻璃。这不仅将导 致材料极差的介电性能，还会因为玻璃与材料的不同收缩率而导致在 LTCC 工序 中材料的开裂，这种现象对于玻璃掺杂量大于 5 wt%时尤其严重。 在本课题工作中，使用了 Co2+离子替代和玻璃掺杂相结合的方法来使 Zn2SiO4 陶瓷的烧结温度降低到 900 ℃附近。首先，研究了不同 Co2+离子替代量对 Zn2SiO4 的结构和性能的影响，定量的 Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3（LBSCA）玻璃被掺杂到 (Zn1-xCox)2SiO4 中来使得其可以在 900 ℃附近完成致密烧结。最后发现 Co2+离子替 代量为 0.05 时陶瓷拥有致密的微观结构，生长均匀的晶粒和优良的微波介电性能。 其次，研究了不同的 LBSCA 玻璃掺杂量对(Zn0.95Co0.05)2SiO4 介电陶瓷的微观结构 和微波性能参数的影响。发现了当掺杂 2 wt% LBSCA 时陶瓷拥有最致密的微观结 构且晶粒生长均匀一致性好，同时拥有相当优异的微波介电性能: εr = 6.5、Q×f = 57,000 GHz 、 τf = -55 ppm/ ℃。最后，对比研究了不同量的 CaTiO3 掺杂 (Zn0.95Co0.05)2SiO4 + 2 wt% LBSCA 介电陶瓷，尝试将其温度系数调节到趋于 0。实 验研究表明当 CaTiO3 的掺杂量为 5.5 wt%时陶瓷的温度系数为-1.3 ppm/℃，从而达 到了 LTCC 应用的要求。 基于自己开发的低介低损耗的(Zn0.95Co0.05)2SiO4 + 2 wt% LBSCA + 5.5 wt% CaTiO3 陶瓷材料来设计并制作了一个 2×2 的圆极化阵列天线。第一，通过采用“双 层结构+“工”型口径耦合馈电”的方法来达到 2.36 GHz 的带宽；第二，采用“天 线单元 90°旋转排列+馈电网络 90°相位差”来达到 1.33 GHz 的圆极化带宽。最 后用丝网加工将天线印刷在陶瓷介质基板上，测试得到性能参数并与仿真曲线相 差不大，因此可以判定本课题的材料研究与天线设计是成功的。 关键词：低介低损耗陶瓷，微波介电性能，低温共烧陶瓷（LTCC）， (Zn0.95Co0.05)2SiO4-LBSCA，阵列圆极化天线 II II ABSTRACT ABSTRACT Intensive development of wireless communication systems has resulted in an increasing demand for microwave dielectric materials. As more and more devices are applied in high-frequency, low dielectric constant and low loss materials are in urgent need. It is possible to integrate the passive components to a function module by low temperature co-?red ceramic (LTCC) technology. Materials with low sintering temperature ( 950 °C), high quality factor (Q×f) value and low dielectric constant (εr) are necessary for LTCC applications. As one kind of important low εr materials, ZnO-SiO2 ceramic systems with high quality factors have been studied widely in recent years for possible applications in LTCC field. Low melting glass-doping is the mai