双轴应变ge2fsi1-xgex价带结构模型与空穴有效质量分析.pdfVIP

第一章绪论 1．2．2应变SiGe能带结构研究状况 早在1986年，R People的文章中就介绍了应变GexSi卜x／Si异质结的物理特性和 光学特性Il…。文中研究了形成异质结的临界厚度，双轴应变Ge．Si异质结的禁带宽 度及能带结构。 1992年，SK 迁移率》【llJ一文中使用K．P．方法研究应变SiGe价带E(k)关系，并在其基础上，对空 穴有效质量和迁移率做了求解与分析。文中还分析了晶格散射、杂质散射等多种 散射机制对迁移率的影响。结果表明，在k较小时应变SiGe的价带等能面呈椭圆型， 当k较大时变得接近体硅。迁移率受温度、载流子浓度和Ge组分比例的影响。在应 变力作用下，带间散射会减小。许多原因会使得应变后的材料比应变前迁移率要 高。而且，有效质量和某一方向的迁移率可以通过应变来控制。 增强》【l-2J一文中对弛豫SiGe上的应变Si／SiGe的空穴迁移率进行了研究。文中使用 达到了5．15倍于体硅的空穴迁移率。这对P．MOSFET性能的提升是巨大的。 中对SOI结构的空穴有效质量进行了研究Il引。由于空穴有效质量具有各向异性，论 文在不同晶向上进行了研究。作者采用无限深方势阱模型，从体硅的6x6的哈密顿 算子出发，在方形势阱中求解空穴的E(k)关系。之后计算有效质量，发现了非(001) 发生变化，而且有效质量还会随着硅层的减薄而减小。这使得空穴具有了更高的 的性能。 1．2．3能带结构计算方法的发展动态 最早很多研究集中于应变对Ge材料能带的影响。 Resonance in stressedSilicon：Valenceband ((Cyclotron Expefimems Uniaxially InverseMassParametersandDeformation Resonancein Potentials))[14】((Cyclotron Stressed Uniaxially 到赝势法【l7|，理论研究都在不断的完善和发展。 一4 双轴应变Ge／Sil。Gex价带结构模型及空穴有效质量研究 andStrainInducedEffects 1974年，苏联的两位科学家发表了著名的((Symmetry in 标准。 随着计算机的发展，科学处理数据能力的增强，迁移率的研究获得越来越多 的关注和重视。 上世纪80年代末，MonteCarlo计算技术开始应用于材料迁移率的计算中，加 Kook 州大学洛杉矶分校的Sang Chun和KangK．Wang发表了使用该技术计算应变 Massand ofHolesinStrainedSil．xGex SiGe空穴迁移率的文献((EffectiveMobility Substrate))1191。 Layerson(001)Sil．yGey 国内Si基应变技术的理论研究起步较早，对Si基应变材料和器件开展了大量的 研究【20乏21，但对应变Ge技术的理论研究却很有限，研究工作仍处于探索阶段，与 国外研究水平差距较大【23‘251。 1．3本文的主要工作 依据研究内容和研究目的，本文各章安排如下： 第一章绪论。综述了应变Ge材料能带结构研究的意义，经典方法和现状，以 此为基础概述了本文的主要研究工作。 第二章半导体Ge的基本特性。主要介绍了弛豫Ge的特性，包括弛豫Ge的晶 格结构、能带结构以及迁移率。 第三章应变Ge的哈密顿模型。介绍了几种能带结构的计算方法，分析了几种 常见应变张量，并在此基础上建立了应变哈密顿模型。 第四章应变Ge价带色散关系模型。基于薛定格方程，在研究建立应变张量模 型和势能算符基础上，采用K．P．微扰法，建立双轴应变Ge材料导带底、价带顶以助．k 关系，并分析了二维等能