高功率脉冲磁控放电及离子注入与沉积CrN薄膜研究-材料加工工程专业论文.docxVIP

国内图书分类号：TG174.444 学校代码：10213 国际图书分类号：621.785 密级：公开 工学博士学位论文 高功率脉冲磁控放电及离子注入与沉积 CrN 薄膜研究 博 士 研 究 生：吴忠振 导 师：田修波 教授 申 请 学 位：工学博士 学 科：材料加工工程 所 在 单 位：材料科学与工程学院 答 辩 日 期：2012 年 06 月 授予学位单 位：哈尔滨工业大学 Classified Index: TG174.444 U.D.C: 621.785 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering HIGH POWER PULSED MAGNETRON DISCHARGE AND FABRICATION OF CrN FILMS BY ION IMPLANTATION AND DEPOSITION Candidate: Wu Zhongzhen Supervisor: Prof. Tian Xiubo Academic Degree Applied for: Doctor of Engineering Specialty: Materials Processing Engineering Affiliation: School of Materials Science and Engineering Engineering Date of Defence: June, 2012 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 摘要 摘 要 哈尔滨工业大学工学博士学位论文 哈尔滨工业大学工学博士学位论文 - - I - - - PAGE VIII - 摘 要 随着涂层从第一代的单元到第二代的多元，发展到现在第四代的纳米多层和 超晶格，膜层性能逐渐提高，但其膜基结合力却受到越来越严峻的挑战。等离子 源离子注入与沉积（PBIID）技术作为一种高结合力的高性能涂层制备方法曾被 寄予厚望，但由于其配备的金属离子源——脉冲阴极弧源产生的金属等离子体中 含有大量“金属液滴”，严重影响注入效果和薄膜质量，其应用受到限制。针对 这个问题，本文提出采用高功率脉冲供电的磁控溅射源结合高压注入技术形成一 种新的 PBIID 方法——高功率脉冲磁控源离子注入与沉积技术（ HPPMS- PIID），对其放电特性、等离子体特性和沉积 CrN 薄膜特性进行了深入研究。 采用并联结构研制了高功率复合脉冲磁控溅射电源，通过不同的功率输出可 以实现常规的直流磁控溅射、高功率脉冲磁控溅射及直流和脉冲复合的高功率复 合脉冲磁控溅射。为了实现离子注入与沉积，研制了高功率复合脉冲磁控溅射电 源和高压脉冲电源的脉冲匹配电路，使得两电源输出脉冲频率相同，脉宽和相位 独立可调。通过对两电源输出脉冲脉宽和相位的调节，可以实现注入与沉积、全 注入和选择注入等薄膜沉积模式。 通过对 HPPMS-PIID 系统放电测试，获得稳定强烈的放电，负高压的施加， 吸引大量的离子到达基体，大大提高了基体电流值。在 Cr 靶放电时，发现随靶 电压的增加顺序出现低稳定放电状态、中间不稳定放电状态和高稳定放电状态， 分析了其不稳定阶段的产生机制，认为其产生是由靶电流的快速增加所引起的温 度震荡作用于靶前放电气体浓度影响后续脉冲放电所造成的。 通过对 HPPMS-PIID 放电的测试和分析，发现随靶电压的增加，系统放电呈 现出的五个典型的放电阶段，根据对五个放电阶段的典型特征和六个靶电流特征 参量变化的深入研究，得出不同的工艺参数对 HPPMS-PIID 放电的影响规律。工 作气压主要影响系统中气体粒子数量，因此主要通过增加靶电流峰值促进放电。 复合直流主要影响系统中溅射粒子的数量，故其主要通过影响靶电流平台值促进 放电。负高压能与靶电压形成空心阴极效应，极大的提高了系统等离子体密度， 故不仅可以促进放电，还可延缓靶电流到达峰值之后的下降过程，使放电各阶段 之间的过渡更平缓。靶材料主要通过溅射产额与电离能作用等离子体成分，较高 溅射率的靶材料放电稳定，各阶段过渡缓和，反之放电不稳定，很容易产生“打 弧”现象。 采用光谱仪对靶前等离子体特性进行测试，发现 HPPMS 放电时靶前等离子 体成分相对 DCMS 有较大变化，其成分主要由 Ar(1+)、Cr(0)和 Cr(1+)组成，在 靶电压较高时还出现大量的高价氩离子和铬离子。选取含量较多的 Ar(0) 、 Ar(1+)、Cr(0)和 Cr(1+)各四条光谱线，研究了其谱线强度随靶电压的变化。发现 随靶电压的增加，Ar(0)因温度增加而少量下降，其他三种粒子的光谱强度均增 加；工作气压的增加提高了空间等离子体能