高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

摘要摘要 摘要 摘要 低气压、高密度等离子体刻蚀的模拟对于高密度等离子体刻蚀的工艺研究具 有重要意义。本论文深入研究了低气压、高密度等离子体的工作机理及其刻蚀工 艺的原理，合理的舍取了影响等离子体特性和刻蚀特性的参数，提出了一个二维 低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型，并利用“线”算法进行了数值模 拟。分析了不同的中性流与离子流通量之比f。o／n o和不同的鞘层电压与离子温度 之比eVs／kT。对刻蚀轮廓的影响。模型中引入了掩膜对入射粒子流的遮蔽效应和中 性粒子在不同刻蚀表面的粘附系数，使得模拟的结果的准确性大大提高。论文最 终给出了耍获得低气压、高密度等离子体的各向异性刻蚀的eVs／kT。和r。o，r．o的取 值范围。 关键词：高密度专粤子体刻譬箩廓孳尹数值+秽 o 一 ／ ABSTRACT Modeling low—pressure，high—density plasma etching is highly significant for hi曲一density plasma etching processing research．This thesis has deeply studied the mechanism of low—pressure，high·density plasma and it’s etching processes，made a reasonable adoption or rejection ofparameters that carl affect plasma characteristics and etching characteristics，and presented a two-dimensional theory model of low—pressure， high—density plasma etching．The model has been numerical simulated by using‘‘string’’ algorithm．Influence of different neutral—to—ion flux ratios rndFio and different ratios of sheath voltage to ion temperature eVs／kTi for etch profiles has been analyzed．In the two—dimensional model，the incident particle flux shadowing effects of the mask edge and the sticking coefficient ofthe neutral flux at different etching surface are introduced， which improves accuracy of the simulating results，At last，the value range of eVs／kTi a11d rno，ri o for low-pressure，high—density plasma anisotropy etching has been obtained· Keyword：high．density plasma etch profiles model numerical simulating 创新性声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成 创新性声明 本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成 果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含 其他人已经发表或撰写过的研究成果：也不包括为获得西安电子科技大学和其他教 育机构的学位证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所作的任何贡献 均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 本人签名 盔量里 F1期：兰!里』生塑!旦 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学的有关保留和使用学位论文的规定，即：学校 有权保留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部 分内容，可以允许采用影印、缩印和其他复制手段保存论文。(保密论文在解密后遵 守此规定) 本人签名：生重垩 日期：兰竺!盘!基!旦： 导师签名：为撂垄 日期：丛生f：f：金 第一章绪论第一章绪论 第一章绪论 第一章绪论 §1．1研究的意义 集成电路的出现使人f1]的生活产生了巨大的变化，可以说它已经达到了无所 不在的地步。除了计算机领域外，集成电路还广泛地应用在通讯、消费电子工业、 自动控制、多媒体及国防等领域。如音响、无线电话、手机、PDA、信息家电、 多