高度择优取向铁电铌酸锶钡薄膜的制备及其性能研究-光学工程专业论文.docxVIP

浙江大学硕士学位论文 摘要 摘 要 铌酸锶钡(srxBal．xNb206，0．2xO．8，简称SBN茹具有很高的线性电光效应和热释电 效应，如SBN75的热释电系数可达31．0x10。．aC／cm2K，电光系数为r。=1380x10”m／V，并且 具有非常高的压电系数和光折变系数，较低的半波电压(SBN单晶诱导应变的波导电光调制 器的半波电压为0．25V)．还具有不潮解、机械性能好等优点。而且，SBN在制备过程中能够 避免PZT等铁电材料的铅污染的问题。SBN可广泛地应用于铁电动态随机存储器DRAM、热 释电红外探测器、铁电光波导电光调制器等集成电光器件方面。随着光通讯产业的迅速发展， 特别是集成光学的发展，迫切需要在硅衬底上生长择优取向性好的铌酸锶钡晶体，来有效地 减少光在波导结构中的损耗。 本论文探讨了SBN薄膜的溶胶一凝胶(S01．Gel)生长技术及其原理。在1000。(2的退火 温度下，分别用NbCl5和Nb(OC2H5k作为Nb醇盐的先驱物制各SBN前驱溶液，随后在si 衬底上生长出高度c轴择优取向的SBN晶体薄膜。用x射线衍射仪(XRD)、原子力显微 镜(AFM)、二次离子质谱(SIMS)、受激拉曼散射、分光光度计、电致双折射(自建系统) 等方法对SBN薄膜的结构性能和物理性能进行了表征。研究了各生长条件如退火温度、前 驱溶液、衬底类型、缓冲层(KSBN、MgO)等参数对SBN薄膜性能的影响以及降低光学 损耗的措施等。 研究表明，退火温度是关系到SBN溶液是否生成SBN晶相的关键因素．高温有助于斜方 晶系结构的SN相和BN相转变为四方晶格钨青铜结构的SBN相。只有在10000c的退火温度 下才能在Si衬底上生成近似单晶外延的SBN薄膜。而且，随着膜厚的增加，处于底层的膜 层起到缓冲层的作用，逐渐改善着薄膜与衬底之间的晶格失配，从而使得SBN薄膜在(001) 方向的优先取向性越来越好。 与Si相比，Mgo单晶的物理特性更接近SBN薄膜，因此在相同退火温度下，以Nb(OC2Hs)5 作为Nb醇盐的先驱物，在M90单晶衬底上制各出的SBN薄膜(单晶取向)所表现出的C轴 优先取向性要大大好于Si衬底上的薄膜(多晶取向)。不过，用NbCI，作为先驱物制各的 SBN薄膜在si衬底上表现出了同样的高度择优取向，其最小的峰值半峰全宽只有2．5。，这 是迄今为止在Si衬底上使用S01．Gel法得到的SBN外延薄膜的最小半高宽。通过对两者的 成分分析可知，NbCl5制各的薄膜中含有Nb(OC2Hs)5制备的薄膜中所没有的K，而且K跟 Nb的比例达到了3：5。K离子是Nb醇盐制备过程中KCI没有被过滤完全的剩余产物。通 过二次离子质谱分析发现了改善SBN薄膜与si衬底匹配关系的原因所在——K离子。K离 子对SBN晶胞的溶入和对Si衬底的渗透可能同时使SBN晶胞和si晶胞产生微小扭曲，同 时，整个从衬底到薄膜舍大部分K的扩散层间接起到了一个逐步调整衬底与薄膜之间匹配 关系的缓冲层作用。并最终促使SBN薄膜c轴高度择优取向的生长a由此证明了K离子对 改善si基SBN薄膜的促进作用． 另外．实验发现。在Ub(OC2H5)5制各的先驱溶液里加入不同含量的K离子，在si衬底 3  浙江大拿硕士学位论文 摘要 上生成的SBN薄膜取得了与NbCl5制各的薄膜相似的单晶外延生长：而且，K离子的含量对 SBN薄膜取向的影响存在一个最优值。同时，先在si衬底上生长掺K的SBN(k／Nb=2／3) 薄膜作为SBN薄膜的缓冲层，再在该衬底上生长不含K的SBN60薄膜，薄膜表现出非常 完美的择优取向，杂峰几乎被完全抑制。缓冲层为3层的薄膜与衬底的匹配最好。而且，薄 膜的颗粒均匀，表面平整，Ra只有4nm。最后制备K20(Nb205)7薄膜(该单晶x射线衍射图 谱与SBN相似)作为SBN薄膜的缓冲层，该缓冲层并不能改善SBN薄膜与Si衬底之间的 匹配关系，由此证明SBN溶液中K的掺入并没有改变SBN晶胞结构，生成K20(Nb205)7， 而是起到了一个逐步调整衬底与薄膜之间匹配关系的缓冲层作用。并最终促使SBN薄膜c 轴商度择优取向的生长。 由于MgO单晶与SBN晶格有着更好的匹配性，因此，MgO缓冲层的引入可以改善SBN 薄膜的结晶性，获得更佳取向的SBN薄膜。SBN薄膜表面粗糙度Ra为12nm；加了Mgo缓 冲层的SBN薄膜更加致密，结晶颗粒更小，表面也更平整，Ra为4nm． 测得SBN薄膜的折射率大于KSBN薄膜的折射率。在633nm时，SBN60薄膜的折射 率=2．13．掺KSBN60的薄膜折射率n=1．96。这可能是K的原