AlH共掺杂ZnO透明导电薄膜的研究.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 L一 』III 』III I r II I II II II[1[1 11I Y1 944044 摘要 铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜因具备成本低廉、无毒和在氢等离子体中稳定性高等优点 而成为ITO薄膜的替代者。磁控溅射法具有成膜速率快，附着性好、可大面积沉积等优点 而成为制备AZO薄膜首选的方法，但低温沉积的薄膜往往电阻率较高，透光性不好，难 以满足光电器件的需要。最近，有文献指出低温下掺入H可以有效提高AZO薄膜的光电 性能，但在不同溅射工艺参数下H对AZO薄膜光电特性的影响还缺乏全面系统的研究。 本论文旨在改变镀膜工艺参数，系统研究沉积时H2引入对AZO薄膜的透明导电性能的影 响，总结出H的作用和相关的机理，获得具有优越透明导电性能的AZO薄膜。 论文首先研究了在心气氛下、不同衬底温度(100℃300℃)时制备的不同膜厚(50～ 1200nm)的AZO薄膜的结构和光电性能。结果发现，只有当衬底温度升高到200和300 ℃时，薄膜才表现出沿(002)方向的择优生长。随衬底温度或薄膜厚度的增加，薄膜的 结晶度增加，压应力释放。薄膜结晶度的提高导致了薄膜载流子浓度和Hall迁移率的增加， 因此其电阻率下降。衬底温度200和300℃时，膜厚达到1000nm左右时，得到最低的电 阻率为1．12-1．59x10一t2,cm。对于薄膜的可见光透光率，随膜厚增加，透光率大概从86％ 下降到70％。研究AZO薄膜的禁带宽度(取)的结果表明Eg依赖于薄膜的晶粒尺寸、载 流子浓度和应力。衬底温度200℃时沉积的薄膜有最大的，这主要是由于其有大的载流 子浓度和压应力的缘故。随膜厚的增加，载流子浓度增加可以增大Eg，但同时压应力的降 低和／或晶粒尺寸的增大可以降低。因此，E2随膜厚增加呈现出不变或下降的趋势。 在上述研究的基础上，论文进一步研究了不同衬底温度(RT-300℃)、不同H2／(H2州岫 流量比(0～6％)下制备的AZO薄膜。结果发现制备的薄膜都呈现沿(002)方向的择优 取向生长；随着H2流量比的增加，对于RT下制备的薄膜，其薄膜应力显著降低，结晶度 明显提高；对于衬底温度为100--300℃制备的薄膜，其应力和结晶度没有显著变化。引入 H2后，薄膜的载流子浓度和迁移率在衬底温度为RT和100℃时明显增加，当衬底温度为 200℃时也有一定程度的增加，而衬底温度为300℃时则没有明显的变化。当H2流量比达 到3％时，RT和100℃制备薄膜的电阻率显著下降，甚至低于200和300℃制备薄膜的电 阻率。在衬底温度为10012，H2流量比为6％时，得到的最低电阻率为1．15x103f2,ern。这 些结果表明，衬底温度低于200℃，H2的引入对ZnO光电性能的改善是明显；并且表明了 H掺入ZnO晶格中主要主要是以间隙H的形式存在。薄膜透射谱研究表明：H2引入沉积 气氛有利于提高薄膜的透光率。对于薄膜的E窑，主要取决于载流子浓度，但对RT下制备 的薄膜，其B的宽化与其细小的晶粒尺寸和大的压应力也有一定的关系。 最后，论文研究了在衬底未加热，H2的流量比为5％时，溅射功率、气压和膜厚对AZO 薄膜结构和光电性能的影响。当保持溅射功率为150W时，随溅射气压增加，薄膜的结晶 度降低；当气压为0．8Pa时，可得到最低的电阻率(2．69x10-3f2,cin)。保持溅射压强为0．8Pa 时，随溅射功率增大，薄膜的结晶度提高；薄膜的载流子浓度和迁移率保持增大的趋势， 而电阻率呈下降的趋势；当溅射功率为100W时，载流子浓度显著增加，而且迁移率也保 第1I 第1I页 关键词：AZO薄膜；氢掺杂；磁控溅射；电阻率；透光率；禁带宽度(Eg) 武汉科技大学硕士学位论文 武汉科技大学硕士学位论文 第1II页 Abstract AI．doped ZnO(AZO)films have become alternative materials to ITO because of their low cost，non—toxicity and stability in hydrogen plasma．Magnetron sputtering is the most commonly used method to prepare AZO films because it can perform hi【gh deposition rate and obtain hi曲ly unifclrnl and larger scale films with strong adhesion．How