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反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管-物理学报.PDF

反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管-物理学报.PDF

    物理学报反向衬底偏压下纳米沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究陈海峰西安邮电大学电子工程学院西安年月日收到年月日收到修改稿研究了反向衬底偏压下纳米沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性发现曲线的上升沿与下降沿随着的增大向右漂移基于实验和理论模型分析得出了与这种漂移之间的物理作用机制漂移现象的产生归因于衬底偏压调节了表面电势在栅电压中的占有比重增大时相同下会变小的变化继而引发上升沿产生率因子减小以及下降沿产生率因子增大进一步发现上升沿与下降沿的最大跨导在对

    物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 18 (2013) 188503 反向衬底偏压下纳米N 沟道金属氧化物半导体场 效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究* † 陈海峰 ( 西安邮电大学电子工程学院, 西安 710121 )

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