笼型倍半硅氧烷的合成与表征——毕业答辩.pptx

笼型倍半硅氧烷的合成与表征 主要内容： 课题研究背景与意义： 多面体低聚倍半硅氧烷是一类纳米尺度笼型结构的低聚 硅氧烷，兼具无机与有机化合物的共同特性，即具有高的热 稳定性、良好的介电性能、优异的溶解性、阻燃性等特点。 在航天材料、介电材料、光电材料、生物医学材料、耐热阻 燃材料和催化剂等领域有广泛的应用。 笼型倍半硅氧烷简介（POSS）： 多面体低聚倍半硅氧烷(Silsesquioxane,简称POSS)是一类纳米尺度的低聚硅氧烷，俗称笼型倍半硅氧烷，结构简式为(RSiO3/2)n。其中R基团可被乙烯基、氨基、苯基、氢原子，烷基等各类有机基团代替，POSS化合物中的Si原子与O原子的比例为1:1.5，n可以为6、8、10、12等，形成不同结构。而n=8的POSS是研究最多的一种，称为立方T8。POSS以Si-O-Si键为主体框架，Si-O键的键能为443.7kJ/mol，Si-O-Si的键长较长，键角大，容易旋转，链主要为螺旋结构并且柔性大，因此链之间的相互作用力小，表面张力小，热稳定性好。根据这些性质得POSS在无催化剂时结构相对稳定。 POSS的分类： POSS合成方法： 本课题研究的主要内容： 1. 八乙烯基笼型倍半硅氧烷（ OvPOSS ）的制备表征 2.八苯基笼型倍半硅氧烷（ OPS ）的制备表征 3.八 氨基笼型倍半硅氧烷（ OapPOSS ）的制备表征 OvPOSS的制备： OPS的制备： OapPOSS的制备： OvPOSS表征 FT-IR 582cm-1 Si-O-Si的对称伸缩振动 1109cm-1 Si-O-Si 1604cm-1 C=C 1409cm-1、1276cm-1 乙烯基α、βC-H键的面内外弯曲振动 3066cm-1 CH2=CH-上的C-H键的不对称伸缩振动 779cm-1 Si-C 850cm-1 Si-OH 1H NMR 13C NMR 化学位移为δ= 5.87-6.16处出现的多重峰是乙烯基POSS上乙烯基氢原子的吸收峰，δ=7.27处为溶剂的吸收峰。谱图中没有出现Si-OH的吸收峰，以此说明反应物的水解缩合反应进行得非常完全。 δ= 128.70 和137.05处出现的吸收峰分别为乙烯基上-CH和-CH2的碳吸收峰，δ= 77.00 处为溶剂中的碳吸收峰。 OvPOSS表征 XRD分析 2θ为9.8°时是一个强衍射峰，其他衍射峰 2θ分别为13.1°、19.6°、21°、22.9°、23.7°、29.6°和30.24°，衍射峰的强度高，因此晶像含量大，所以乙烯基POSS是一种高度结晶的物质。 OvPOSS表征 SEM分析 乙烯基POSS在溶液中缓慢结晶时，最终形成的晶体形貌为方形，尺寸在几微米到几十微米。 OvPOSS表征 TGA测试 乙烯基POSS具有优异的耐高温性能，材料的热分解温度的形成原因以材料的化学结构为主，其中主要因素是它的键能、键之间的相互反应性以及分子内缺陷。键能越大时（Si-O键的键能为422.5kJ/mol），材料的热稳定性能就会越大，由于POSS特殊的笼形结构，使分子中含有的体积较大结构限制了分子链的运动，所以最终使乙烯基POSS具有耐高温的优良性能。 OPS表征 FT-IR 3024、3073.9cm-1 苯环上的碳氢键 1431.55、1029、997cm-1 Si-C6H5 1109.57cm-1 Si-O-Si的不对称伸缩振动 500、 426.55cm-1 Si-O-Si的对称变形振动 XRD分析 XRD谱图中2θ=7.96°、18.82°、25.26°分别出现三个尖锐的衍射峰，表明OPS具有较好的晶型结构。但在XRD谱图中出现了一些杂峰，再根据与SEM图对比发现OPS结晶不完善，没有形成OvPOSS那样的完善的晶体颗粒。 OPS表征 SEM TGA分析 样品在热重损失大约在5%时的初始分解温度为430℃，说明晶体的热稳定性能好。在750℃时失重曲线渐渐趋于稳定，最终的剩余量为73%。 OPS表征 OapPOSS表征 FT-IR 1120cm-1 Si-O-Si 2930cm-1 -CH2的伸缩振动 3026cm-1 -NH2 OapPOSS表征 XRD分析 SEM 由XRD图可看到OapPOSS的主要衍射峰2θ在6.22°、11.79°和23.11°。在2θ=6.22°处为尖锐的衍射峰，而23.11°附近出现的是弥散的宽广隆起峰，说明所制得的OapPOSS结构中存在部分非晶结构，SEM图中显示产物的晶粒小且不规整。与其XRD结果一致，OapPOSS制备过程中存在不完全缩合的部分，使得产物结晶不完全。 TG分析 曲线上有三个失重阶段，第一阶段主要是因为样品中少量的