均相三方行碲硒纳米晶可控合成方法的研究论文.docx

研究生优秀毕业论文 均相三方碲硒纳米晶可控合成方法的研究目 均相三方碲硒纳米晶可控合成方法的研究 目 录 摘 要 一i Abstract ．iii 缩略语表 v 第一章绪论 1 l碲硒纳米材料 1 2三方碲硒 一2 2．1三方碲硒的晶体结构 ． 一2 2．2均相三方碲硒 4 3可控合成纳米材料的方法 一6 4碲硒材料合成的发展现状 一8 4．1溶液法合成不同形貌的碲硒纳米材料 8 4．2气相转移法控制碲硒材料形貌 9 5 Te／Se晶的发展现状 ： 9 5．1溶液法合成不同形貌的Te／Se晶 9 5．2光电沉积法合成不同形貌的Te／Se晶 ．．1 1 6碲硒纳米材料的性能及应用 12 6．1光学性能 ．12 6．2热电性能 ．14 6．3气敏性 - 15 6．4其他应用 ．15 7研究论文思路及其意义 16 第二章多种形貌Te／Se ANCs的合成 18 1前言 一1 8 2材料与主要仪器 19 2．1材料 19 2．2主要仪器 ．1 9 3试验方法 ．19 3．1 Te／Se ANCs的合成 19 3．2紫外．可见分光光度计 20 3．2晶格条纹与电子衍射 ．20 万方数据 华中农业大学2015届硕士研究生学位论文3．3晶面指数的标定 华中农业大学2015届硕士研究生学位论文 3．3晶面指数的标定 。2l 3．4元素比例的检测 。22 3．5晶胞参数的计算 ．．23 3．6拉曼光谱 24 4结果与分析 一 24 4．1不同前体比例下Te／Se ANCs的形貌 24 4．2 t-Te／Se ANCs的紫外 ．27 4．3 t-Te／Se ANCs的晶格 28 4．4 t-Te／Se ANCs的成分分析 。 3 1 4．5 t-Te／Se ANCs的晶体结构分析 32 4．6 t-Te／Se ANCs的拉曼光谱 33 5．／J、结 一35 第三章t-Te／Se ANCs合成的影响因素及生长机理 36 1．反应时间 36 1．1反应时间对t-Te／Se ATNRs的影响 ．36 1．2反应时间对t-Te／Se ASNRs的影响 38 2水合肼浓度 ．39 3温度 40 4不同形貌t-Te／Se ANCs的生长机理 ．4l 4．1反应初期t。Te／Se ANCs的EDS ．41 4．2自籽结晶过程 。4l 5小结 。44 全文总结 45 参考文献 46 附 录 58 致 谢 59 万方数据 均相三方碲硒纳米晶可控合成方法的研究摘 均相三方碲硒纳米晶可控合成方法的研究 摘 要 半导体纳米材料具有许多特殊的光学、电学、化学和磁学性质，这些性质很大 程度上受到材料的形貌和尺寸的影响，因此可控的合成半导体纳米材料一直受到广 泛的关注。碲、硒和碲硒晶半导体材料拥有低的熔点、良好的光导性、热电性能和 氧化还原能力，在合成功能材料和纳米级设备的制备上展现出潜在的应用价值。但 在目前的研究巾碲硒晶纳米材料的研究并不多，而且其形貌多样性和合成方法有很 大的改进空间。本论文研究了可控合成不同形貌的均相(homogeneous)三方碲硒 纳米晶(trigonal Te／Se alloy nanocrystals，t-Te／Se ANCs)。我们采用常温水相法合成 碲硒晶纳米材料，合成方法简单环保且可以大批量合成。主要研究结果如下： 1．调控前体Te02与H2Se03的比例(x(Te：Se))合成形貌多样，纵横比、成 分可控的t-Te／Se ANCs。通过调控X(Te：Se)的值，t-Te／Se ANCs主要会按照两种 方式生长：第一种，当X(Te：Se)的值从200：l到100：1或者从2：1到l：1 的时候，生长成独个三方碲硒纳米晶(tfigonal Te／Se alloy single nanorods，t-Te／Se ASNRs)：第-31，当x(Te：Se)从30：l到10：1的时候生长成三连体的三方碲 硒纳米晶(trigonal Te／Se alloy tri．fold nanorods，t-Te／Se ATNRs)。这些纳米晶通过自 籽结晶过程形成生长方向沿[001]方向生长的均相单晶。 2．表征了t-Te／Se ANCs的紫外可见吸收光谱、晶体结构、组成成分和拉曼光谱。 随着t-Te／SeANCs长度和X(Te：Se)的变化，t-Te／SeANCs的紫外、晶体结构、 组成成分和拉曼也存在一系列规律性的变化。当t-Te／Se ANCs长度的减小时，t-Te／Se ANCs的紫外峰会发生红移。随X(Te：Se)值的减小，t-Te／Se ANCs的晶体结构， 组成成分和拉曼光谱与三方硒(trigonal Se，t-Se)趋于相同。 3．分析论证了不同形貌t-Te／SeANCs自籽结晶过程的机理。从碲硒纳米晶不同 反应阶段的透射电镜