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MoSi2-RSiC复相陶瓷的制备及其性能研究摘 MoSi2-RSiC复相陶瓷的制备及其性能研究 摘 要 二硅化钼(MoSi2)作为重要的高温电热元件材料，具有高温抗氧化性优异和电阻率低 等特点，但其低温脆性大而高温抗蠕变性差导致其使用寿命较短且可靠性较差。再结晶 碳化硅(RSiC)高温力学和导热性能优异，但因孔隙率较大而导致其使用寿命较短。 本研究旨在将RSiC与MoSi2的优异性能有机结合，以RSiC为骨架材料，MoSi2为 抗氧化和电热性能调控材料，通过直接添加法和聚碳硅烷(PCS)浸渍-裂解(PIP)与MoSb 高温熔渗复合工艺制备高温抗氧化和力学性能优异、电热性能可调控的梯度功能化 MoSi2．RSiC复相陶瓷。系统研究直接添加法中MoSi2含量、SiC再结晶温度和浸渍裂解 熔渗工艺中浸渍．裂解次数等因素对复相陶瓷密度、气孔率、力学性能、高温抗氧化、电 性能的影响。采用拓扑法计算了所得材料的电阻率，并初步探讨了复相陶瓷的高温抗氧 化和导电机理。 在直接添加法所得的复相陶瓷中，SiC主要以6H相存在，在高温下MoSi2逐渐失去 Si，形成富Mo相并与气相SiC发生反应，转变为低硅含量的M04．8Si3C0．6。MoSi2转化 的M04．8Si3Co．6主要分卸在SiC颗粒表面，形成一层致密的膜，膜与SiC晶体结合紧密。 随MoSi2引入量的进一步增加，膜厚度增加，当引入量为15wt％时，部分M04．sSi3C0．6 以无定形态填充在SiC颗粒间隙中。 随着MoSi2添加量的增加，所得材料的表观气孔率逐渐增加，但抗弯强度先增加后 减小，MoSi2添加量为10wt％时试样有最好的抗弯强度，并初步分析了MoSi2的加入对 RSiC抗弯强度影响的机理；MoSi2的添加对所得复相陶瓷抗氧化性能影响不大，试样的 抗氧化性能主要取决于RSiC再结晶的程度以及气孔率，适量MoSi2的加入使SiC再结 晶更好，复相陶瓷的抗氧化性能略有提高。复相陶瓷的体积电阻率随着MoSi2的添加而 显著降低，但随着添加量进一步增加，电阻率降低的趋势变缓，分析表明增加MoSi2的 体积分数以及MoSi2在复相材料中分布的连续性，可以显著的降低材料的电阻率。拓扑 法计算所得电阻率数据与实验值接近，变化趋势一致。 在PIP．高温熔渗法制备MoSi2．RSiC复相陶瓷的工艺中，经过4次PIP工艺处理后， RSiC的密度从2．459／cm3逐渐增加到2．699／cm3，开口气孔率从23．7％降低到13．4％，同 时存在一定的闭口气孔率。熔渗后所得复相陶瓷中，MoSi2呈梯度分布，由表及里逐渐 增多，试样抗弯强度最高可达108MPa。 RSiC的电阻率为2800 mg)·cm，浸渍0次后直接熔渗的MoSi2．RSiC电阻率为85 mQ．cm，随浸渍次数增加，所得复相陶瓷的体积电阻率逐渐增加，控制浸渍裂解次数， 可以得到不同电阻率的复相陶瓷。电阻率变化的主要原因是复相陶瓷中MoSi2和SiC的 比例以及气孔率所决定。 关键词：MoSi2；RSiC；抗氧化；导电性能： 硕十学位论文Abstract 硕十学位论文 Abstract Molybdenum disilicide(MoSiD heating elemen，worked as an important high—temperature material exhibits excellent high temperature oxidation resistance and low resistivity characteristics，but its low—temperature brittleness and poor high temperature creep resistance leads poor reliability and short service life．Recrystallized silicon carbide(RSiC)exhibits high temperature mechanical and thermal performance．but a result of higher porosity reduce itsli佗． In This study,the excellent performance of RSiC was designed to combine with the the excellent performance of MoSi2，RSiC works as skeleton material，and MoSi2 works as an electric heating the oxidation resistance adjust e