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基于noc的片上互连模型分析与设计-集成电路工程专业论文.docxVIP

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基于noc的片上互连模型分析与设计-集成电路工程专业论文

TN82学校代码 分类 号 TN82 10701 TN4 学 号 1211122801 密 级 公开 西安电子科技大学 硕士学位论文 基于 NoC 的片上互连模型分析与设计 作者姓名: 陈平 领 域: 集成电路工程 学位类别: 工程硕士 学校导师姓名、职称: 刘毅教授 企业导师姓名、职称: 余远强高工 提交日期: 2014 年 11 月 Research and Design on the model of NoC Interconnect A thesis submitted to XIDIAN UNIVERSITY in partial fulfillment of the requirements for the degree of Master of Engineering in Integrated Circuit Engineering By Chen Ping Supervisor: Liu yi Yu yuanqiang November 2014 西安电子科技大学 学位论文独创性(或创新性)声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说 明并表示了谢意。 学位论文若有不实之处,本人承担一切法律责任。 本人签名: 日 期: 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究 生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属于西安电子科技大学。学校有权 保留送交论文的复印件,允许查阅、借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分 内容,允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证,获得学位 后结合学位论文研究成果撰写的文章,署名单位为西安电子科技大学。 保密的学位论文在 年解密后适用本授权书。 本人签名: 导师签名: 日 期: 日 期: 摘要 摘要 I I 摘要 半导体技术的迅猛发展使现代集成电路工艺进入深亚微米及纳米阶段,片上 网络(Network-on-chip,NoC)的出现成为必然。片上网络解决了片上系统(SoC) 由于单一总线带来的扩展性问题以及单一时钟带来的同步问题,因而得到了广泛 使用。然而,作为片上系统 SoC 的扩展,NoC 的内部互连极为复杂,在高通信速 率的情况下,互连线会产生损耗、反射、串扰、电磁干扰等效应,从而影响信号 质量。因此,对 NoC 片上互连模型的研究已经成为先进集成电路的一个主要方向 和热点。本文结合片上互连网络的特性以及非理想效应,对高速互连信号传输进 行了深入探讨。 本文的主要研究工作如下: 首先讨论了片上网络互连的研究背景及意义,介绍了 NoC 基本结构以及其互 连的设计难点和有待解决的问题。然后分析传输线瞬态模型,包括分布式 RC 模型 和分布式 RLC 模型。针对瞬态模型评估了互连上可能出现的信号完整性问题,并 通过软件仿真了传输线上可能出现的损耗、串扰及反射情况。 其次,讨论了在深亚微米及高频情况下的传输线效应,介绍了差分传输线适 用的混合模式 S 参数理论,并在 HFSS 仿真环境下搭建了差分传输线模型,对其 S 参数进行了研究。长距离传输线的损耗越来越严重,通过提取差分传输线电阻、 电容和电感寄生参数得到了分布式 RLC 的等效电路模型。然后,针对提取的 RLC 电路模型,建立偏微分方程和电报方程,并推导出差分传输线损耗解析模型,模 型结果与 Ansoft HFSS 的仿真结果相比,平均误差为 5.20%。同时本文也研究了传 输线拐角因差模阻抗与共模阻抗的不匹配导致的反射效应。通过 Ansoft HFSS 以及 ADS 的联合仿真对比了四种不同结构拐角传输线对散射系数以及共模噪声的影 响。 最后,为了补偿 NoC 长距离传输过程中的码间干扰及损耗,本文提出了基于 电流模式逻辑的高速收发器结构。首先介绍了典型的高速接口电路的基本结构, 然后根据 NoC 高速互连线的性能需要,选择 CML 电路结构作为发送器,并给出 了其两种扩展带宽的结构。对 CML 发送器进行改进,通过增加预加重模块改善码 间干扰现象。最后在 130nm 工艺下建立了带有发送端预加重以及接收端均衡电路 的传输线模型,实现了 5Gbps 信号在 3mm 互连线上的传输。 关 键 词:NoC, 差分传输线, 损耗, 共模噪声, CML 论文类型:应用基础技术类 西安电子科技大学硕士研究生毕业论文 II AB

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