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硅微MEMS加工工艺 王晓浩 EMAIL：wangxh@ntl.pim.tsinghua.edu 电话硅微MEMS发展里程碑 1987年UCBerkeley在硅片上制造出静电电机 90年代初ADI公司研制出低成本集成硅微加速度传感器，用于汽车气囊。 90年代末期美国Sandia实验室发表5层多晶硅工艺。 硅微MEMS工艺发展趋势 表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展； 体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合，追求大质量块和低应力； 表面工艺与体硅工艺进一步结合； 设计手段向专用CAD工具方向发展。 硅微MEMS工艺主要手段 MEMS与IC工艺主要差别 典型硅微MEMS工艺 体硅腐蚀 牺牲层技术 双面光刻 自停止腐蚀 深槽技术 LIGA技术 键合技术 体硅各向异性腐蚀技术 各向异性(Anisotropy) 各向异性腐蚀液通常对单晶硅(111)面的腐蚀速率与(100)面的腐蚀速率之比很大，因为： (111)面有较高的原子密度，水分子容易附着在(111)面上； (100)面每个原子具有两个悬挂键，而(111)面每个原子只有一个悬挂键，移去(111)面的原子所需的能量比(100)面要高。 体硅各向异性腐蚀 是利用腐蚀液对单晶硅不同晶向腐蚀速率不同的特性，使用抗蚀材料作掩膜，用光刻、干法腐蚀和湿法腐蚀等手段制作掩膜图形后进行的较大深度的腐蚀。 机理：腐蚀液发射空穴给硅