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一.双阱工艺* n阱的形成 1. 外延生长 2. 氧化生长 3.第一层掩膜（光刻1）“n阱注入” 4. n阱注入 磷注入 5. 退火 3．退火 七．接触(孔)的形成 * 钛金属接触的制作 1．钛的淀积 钛淀积 2．退火 钛硅化物接触形成 3．钛刻蚀 八．局部互连(LI)工艺 * LI氧化硅介质的形成 1．氮化硅化学气相淀积 氮化硅CVD 2．掺杂氧化物的化学气相淀积 3. 氧化层抛光（CMP） 4．第九层掩膜(光刻9) “局部互连” 局部互连刻蚀 * LI金属的制作 1.金属钛淀积(PVD工艺) 2. 氮化钛(TiN)淀积 3. 钨淀积(CVD工艺) 4. 磨抛钨(CMP工艺) 九．通孔1和钨塞1的形成 * 通孔1的制作 1．第一层层间介质氧化物淀积（CVD） 2．氧化物磨抛（CMP） * * p 阱的形成 1. 第二层掩膜(光刻2) “p阱注入” 2. p阱注入 硼注入 3. 退火 二.浅槽隔离工艺*