3.1结型场效应管教学资料-.pptVIP

第3章 场效应管及其放大电路 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅场效应管 3.3 场效应管放大电路 3.4 Multisim仿真举例 半导体晶体管： 双极型晶体管（BJT）—多子和少子都参与导电； 单极型晶体管（场效应管FET）—多子参与导电； BJT与FET的比较： 1.MOSFET管在几乎所有微处理器和计算机内存都采用FET技术； 2.集成工艺上，FET可以制造在比BJT更小的面积上，更易制造； 3.FET有非常高的输入电阻和低噪声；温度的稳定性好； 4.FET的增益不如BJT高，FET的线性度不如BJT； 5.BJT中PN结正偏有反偏， FET中PN结都是反偏工作状态； FET是受输入电压控制的电流器件；BJT是受输入电流控制的电流器件； 第3章 场效应管及其放大电路 场效应管分类 3.1 结型场效应管 3.1.1结构和工作原理 1．结型场效应管的结构 N沟道符号 P沟道符号 栅极G--基极B 漏极D--集电极C 源极S—发射极E 3.1 结型场效应管 3.1.1结构和工作原理 2．结型场效应管的工作原理 （1）栅源电压uGS对沟道的控制作用 （a）uGS=0 （b）uGS＜0 UGS(off)称为夹断电压 3.1 结型场效应管 3.1.1结构和工作原理 2．结型场效应管的工作原理 （2）漏源电压uDS对沟道的控制作用 （a）uGS=0，uD