基于IGZO的薄膜晶体管结构设计和性能研究-集成电路工程专业论文.docxVIP

南京邮电大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过 的研究成果，也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 本人学位论文及涉及相关资料若有不实，愿意承担一切相关的法律责任。 研究生签名： 日期： 南京邮电大学学位论文使用授权声明 本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子文 档；允许论文被查阅和借阅；可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索； 可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。本文电子文档的内容和纸质 论文的内容相一致。论文的公布（包括刊登）授权南京邮电大学研究生院办理。 涉密学位论文在解密后适用本授权书。 研究生签名： 导师签名： 日期： 摘要 薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）是组成有源有机发光二极管和液晶显示器的重 要组成部分。近年来，以非晶铟镓锌氧化物为代表的透明非晶氧化物半导体成为下一代液晶 显示技术控制元件的首选者。本文重点从以下几个方面对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管进行研究。 薄膜晶体管的有源层和介质层之间的缺陷态是制约器件性能的重要参数，因此，本论文 首先仿真分析带尾态缺陷、深能级缺陷和界面电荷对薄膜晶体管性能的影响。结果表明，带 尾态缺陷影响器件的开态特性；深能级缺陷影响器件的亚阈值区；界面电荷从 Qf=1.0E11 增 加至 Qf=4.0E12 时，器件由增强型转换为耗尽型。因此在实际制备工艺过程中应优化工艺条 件，尽可能降低有源层和介质界面处的缺陷态密度，改善薄膜的成膜质量。 介质层的介电常数同样是影响器件性能的重要参数，本文设计了不同介电常数的介质层， 并主要以高介电常数材料为主，对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管的性能进行研究和分析，研究中 同时考虑了材料之间的界面特性，引入叠层结构，设计了 SiO2/高 K 介质的叠层结构作为栅介 质层的方案；对叠层结构的厚度进行了优化，分析栅介质层厚度对器件性能的影响。除此之 外，有源层的厚度也会对器件性能产生影响，因此本文也对有源层的厚度进行了优化，从而 使器件的性能进一步得到提升。通过上述优化分析，当器件沟道长度为 30 um，采用厚度参 数为 30/50 nm 的 SiO2/HfO2 叠层结构作为栅介质层，有源层厚度则优化为 120 nm，此时，器 件获得 了最佳 的综 合 性能： 电流开 关比 达到 108 ，阈值 电压 为 0.6V，场 效应 迁移率 为 13.5cm2/v.s。 基于上述结构，模拟双栅非晶铟镓锌氧薄膜晶体管在不同模式下的性能。通过比较不同 模式下器件特征参数的曲线图，分析发现短路连接模式使得器件性能最优，底接触模式次之， 最后是顶接触模式。同时，与单栅薄膜晶体管相比较，当沟道长度减小至 4 um 时，单栅器件 的阈值电压偏移较大，出现短沟效应；而双栅器件的阈值电压只在一定范围内浮动，能够有 效的抑制短沟效应。本文的最后通过 Athena 工艺软件模拟双栅薄膜晶体管的工艺流程，证实 了制备双栅薄膜晶体管的可行性。 关键词: 薄膜晶体管，铟镓锌氧化物（IGZO），态密度，双栅薄膜晶体管，短沟道效应 I Abstract Thin film transistor (TFT) is an important part of the active organic light emitting diodes and liquid crystal display. In recent years, the excellent properties of transparent metal oxide semiconductors, such as the amorphous IGZO, has attracted and excited the market. They are becoming the best selection of the next generation of liquid crystal display, taking the place of silicon to provide better performance. This thesis will study the a-IGZO-based TFT on the following points. The defect states between the active layer and dielectric laye