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基于InP衬底的多量子阱微环激光器的制作与测试-微电子学与固体电子学专业论文
摘
摘 要
微环激光器是半导体激光器的一种,可以用多种设计方法进行工艺制备。由 于微环器件具有光学双稳态特性,这是光学存储的基础特性,所以研制微环器件 的目的是掌握其双稳态特性,并通过多环甚至环形阵列等结构来实现全光存储等 功能。
本文采用InP衬底的多量子阱激光器外延材料,利用经典的半导体工艺,研 制出形状不同的半导体微环激光器样品,并采用两种不同的方法对所研制的器件 进行了测试。
本文所做的主要工作有: 1.通过微环激光器的约束方程计算得到多种合理的直波导和环波导尺寸以
及两者之间的耦合距离,并用L.edit软件画出所要制作的微环激光器版图。 2.按照版图的设计利用干法刻蚀,光刻等半导体工艺加工出成品。
3.对所研制的器件进行测试。首先用检测光的方法对激光器进行测试,将 环形波导置于正偏模式以实现光的激射,然后利用临近的直线光波导进行耦合将 光信号输出,用光纤与直线波导端口耦合的方法测试可得到环形激光器的光功率 一电流特性曲线和激光光谱。此类激光器出现了良好的光学双稳态特性,并且在 61mA时,器件激光的波长为1550nm,满足光通信的要求。第二种测试方法是 通过检测置于直波导两端PD(光探测器)上光电流的大小,利用光电流和发光 功率成正比的关系得到环形激光器的光功率.电流特性曲线。在此测试方法下, 测得了全新的不存在双向传输区的光功率.电流特性曲线,这样可以大大降低激 光器的阈值电流。为下一步实现光逻辑和光存储的基本功能打下了良好的基础。
关键词:光学双稳态微环多量子阱激光器
AbstractMRL(Micro
Abstract
MRL(Micro ring laser)is one kind of semiconductor lasers,it can be designed by different methods.Because ofthe characteristics ofoptical bistability in micro.ring lasers,it is the basement of all—optical storage.The purpose of developing micro.ring lasers is to master these characteristics and achieve all-optical storage by a multi.ring or ring-array structure.
In this dissertation,some samples ofmulti—quantum well(MQW)semiconductor micro-ring lasers were made on the InP—based InAIGaAs MQW epitaxial material by using classic semiconductor technology and were test with two different methods.
Followings are the main works ofthis dissertation:
1.Calculate the parameters of the devices by constraint equation of the micro-ring lasers and design the layout of micro—ring lasers with the software L.edit.
2.Manufacture the device by inductively coupled plasma(ICP)dry etching
techno logy and photoetching.
3.Test Micro ring lasers,firstly using the method ofmeasuring the light,positive voltage Was given to the ring resonator in order to achieve light lasing and then the optical signal was coupled out from the straight waveguide close to the ring waveguide.With this method,the optical power—current characteristic curve and the lasing spectra were tested by coupling the fiber-optic port to a straight waveguide.
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