硅材料理中碳氧杂质行为.pptVIP

第一讲 硅中杂质的行为 综 述 研究意义 半导体的性质在高纯状态下才能体现 杂质控制是半导体材料最重要的问题 杂质对半导体材料和器件的性能产生决定性影响 研究杂质的性质、分布、杂质间的相互作用和对材料器件的影响 硅材料中常见杂质的来源 非金属：碳、氧、氮、氢 在多晶硅和单晶硅生产中引入 重金属：铁、铬、锰、钛、铜、金、银、铂 来源于原材料和器件制造过程污染 掺杂元素：硼、铝、磷、砷、锑、锂 为了控制半导体的性能人为掺入 杂质在硅晶体中的存在形式 杂质原子可以处于晶格替代硅原子位置——代位原子，或者晶格间的空隙位置——间隙原子 形成原子团——沉淀，（几十到几百埃） 形成复合体：杂质原子-空位，杂质原子-位错，杂质A-杂质B 在硅的禁带中引入能级： 浅能级杂质，深能级杂质，电中性杂质 浅能级杂质 杂质的电离能较低，在导带以下0.04 – 0.07eV 人为加入硅材料，控制材料的导电性能 例如P、As、Sb杂质处于硅晶格位置，四个电子形成共价键，一个多余的电子可以被激发到硅的导带中，形成电子导电，电离能： P (0.044 eV)、As(0.049 eV) 、Sb(0.039 eV) B、Al、Ga杂质位于硅晶格，需要接受一个电子，在晶格中形成空位，电离能： B(0.045 eV)、Al(0.057 eV)、Ga(0.065 eV) 深能