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第四章   场效应管放大电路 第四章 场效应管放大电路 4.1结型场效应管 4.2金属-氧化物-半导体场效应管 MOSFET分类 转移特性曲线可以由输出特性曲线获得。 举例书204页图5.1.4的获得。 补充：MOSFET的主要参数 1、开启电压：VT 增强型的参数。 2、夹断电压：VP 耗尽型的参数 作业：5.3.1 、5.3.3、5.3.5作业：5.1.1 、5.1.2 5 、最大耗散功率PDM: 6 、击穿电压：V（BR）DS V（BR）GS 结型场效应管的缺点 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。 引言： MOSFET是利用半导体表面的电场效应来工作的，它的输入电阻可达1015以上。 §4.2 金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET N沟道MOS管 P沟道MOS管 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 按照导电的载流子分 按照导电沟道形成的机理分 4.2.1 N沟道增强型MOSFET P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 金属铝 G S D 1、结构和电路符号 绝缘栅极 N P P G S D G S D P 沟道增强型 2、 N沟道增强型MOS管的工作原理 MOSFET是利用栅源电压的大小来改变半导体表面的感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 增强型： 当VGS=0V时，没有导电沟道，iD=0，而必须依靠栅源电压的作用，才能形成感生沟道的场效应管为增强型。 P N N G S D VDS VGS VGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 1、VGS=0时 增强型： VGS=0V，iD=0 iD vDS 0 截止区 P N N G S D VDS VGS VGS0时 VGS足够大时（VGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子 VT称为开启电压 2、VGS0时 VGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，VGS越大此电阻越小，在VDS一定时，电流Id随着VGS增大而增大。 P N N G S D VDS VGS P N N G S D VDS VGS 当VDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 3、VDS较小时 iD vDS 0 A 可变电阻区 P N N G S D VDS VGS 当VDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 4、VDS较大时 P N N G S D VDS VGS VDS增加，VGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为预夹断。 预夹断后，即使VDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID iD v DS 0 A 饱和区 注意：预夹断的临界条件： 总结： MOSFET是一个电压控制型器件。 对于增强型，改变VGS的大小可以有效地控制感应电荷的多少，对于固定的 VDS ， VGS增大可以使ID增大。 3、增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线 0 ID VGS VT 输出特性曲线 ID V DS 0 VGSVT0 耗尽型: VGS=0V，加上VDS有iD存在。 P N N G S D 绝缘层中掺有大量的正离子，即予埋了导电沟道 G S D 4.2.2 N沟道耗尽型MOS管 1、结构和电路符号 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导电沟道 P N N G S D VDS VGS 2、工作原理 3、特性曲线： 耗尽型的MOS管VGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 0 ID VGS VT 转移特性曲线 输出特性曲线 ID V DS 0 VGS=0 VGS0 VGS0 总结： 耗尽型的MOS管也是电压控制电流的器件，可以在正或负的栅源电压下工作。 1）场效应管的 G 、 S 、D相当于三极管 的B、E、C 。 2）场效应管是电压控制器件，栅流基本为0。 3）场效应管的D、S可互换。 场效应管与三极管比较： * * 模拟电子技术 授课教师：胡玉玲 场效应管（FET): 利用电场效应来控制电流大小，参与导电的只有一种载流子，属于单极型器件。 引 言 晶体管（BJT): 电流控制电流的器件，参与导电的有两种载流子，属于双极型器件。 结型场效应管JFET 金属氧化物半导体场效应管MOSFET 场效应管有两类: 优点： 体积小、重量轻、耗电省、输入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。