结型场相效应管.pptxVIP

4.1 结型场效应管 4.2 金属-氧化物-半导体场效应管 4.3 场效应管放大电路 4.4 各种放大器件电路性能比较 4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） 分类： 4 场效应管放大电路  结构  工作原理  输出特性  转移特性  主要参数 一、 JFET的结构和工作原理 二、 JFET的特性曲线及参数 4.1 结型场效应管 结型场效应管的结构示意图及其表示符号 (a)N沟道JFET；(b)P沟道JFET 1.结构： N沟道管：电子电导，导电沟道为N型半导体 P沟道管：空穴导电，导电沟道为P型半导体 一、JFET的结构和工作原理 2.工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。   VGS继续减小，沟道继续变窄 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS  ID  当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 此时VDS   夹断区延长  沟道电阻  ID基本不变 ③ VGS和VDS同时作用时 当VP VGS0 时， 导电沟道更容易夹断， 对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 VGD=VGS-VDS =VP 在预夹断处 （以N沟道JFET为例） 2.工作原理 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG0，输入电阻很高。 1. 转移特性 2. 输出特性 二、 JFET的特性曲线及参数 1)恒流区 输出特性 输出特性曲线表达以UGS为参变量时iD与uDS的关系。根据特性曲线的各部分特征,分为四个区域： 恒流区相当于双极型晶体管的放大区。其主要特征为： uGS对iD的控制能力很强 ，uDS的变化对iD影响很小。 2）可变电阻区 与双极型晶体管不同，在JFET中，栅源电压uGS对iD上升的斜率影响较大，随着|UGS|增大，曲线斜率变小，说明JFET的输出电阻变大。 3） 截止区 当|UGS||UP|时，沟道被全部夹断，iD=0，故此区为截止区。若利用JFET作为开关，则工作在截止区，即相当于开关打开。 4）击穿区 随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压uDG也随之增大。 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： 3. 主要参数 礼堂排椅电影院椅 枖痋爿 3. 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS 一、增强型MOSFET 二、耗尽型MOSFET 三、各种类型MOS管的符号及特性对比 4.2 金属-氧化物-半导体场效应管 1. N沟道增强型MOSFET结构与工作原理 （1）结构： N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图及符号 一、增强型MOSFET （2）工作原理： 增强型NMOS管在uGS=0时,两个重掺杂的N+源区和漏区之间被P型衬底所隔开,就好像两个背向连接的二极管。这时不论漏极、源极间加何种极性电压,总有一个PN结处于反向偏置,所以漏极、源极之间只有很小的反向电流通过,可以认为增强型NMOS管处于关断状态 UGS＞UT时形成导电沟道 1. N沟道增强型MOSFET结构与工作原理 1. N沟道增强型MOSFET结构与工作原理 （2）工作原理： uDS增大时增强型M