霍尔效是应测量磁场.pptVIP

NINGBO INSTITUTE OF TECHNOLOGY, ZHEJIANG UNIVERSITY PHYSICS LABORATORY 表1 B1~X IS=5.00mA IM=0.5A X（mm） V1(mV) V2(mV) V3(mV) V4(mV) (mV) B1(mT) +Is、+IM +Is、-IM -Is、-IM -Is、+IM -120 -110 -100 -90 …… 0 10 20 …… 50 60 NINGBO INSTITUTE OF TECHNOLOGY, ZHEJIANG UNIVERSITY PHYSICS LABORATORY 测量单个载流圆线圈B轴线上(X向)磁场B2的分布 (1) 用连接线将励磁电流IM输出端连接到圆线圈B，霍尔传感器的信号连接线连接到面板的对应插座。 (2) 霍尔元件置于亥姆霍兹线圈轴线上，x导轨为-60mm，y导轨为0mm，移动X向导轨，测量单个圆线圈B通电时，轴线上的各点处的霍尔电压，可以每隔10mm测量一个数据，直至x导轨坐标为120mm。 (3) 将测量的数据记录在表格２中，再根据公式计算出轴线上（X向）各点的磁感应强度B，并绘出B2~X图，即圆线圈轴线上B的分布图。 NINGBO INSTITUTE OF TECHNOLOGY, ZHEJIANG UNIVERSITY PHYSICS LABORATORY 表2 Ｂ2~X IS =5.00mA IM =0.5A X（mm） V1(mV) V2(mV) V3(mV) V4(mV) (mV) B 1(mT) +Is、+IM +Is、-IM -Is、-IM -Is、+IM -60 -50 …… -20 -10 0 10 20 …… 110 120 NINGBO INSTITUTE OF TECHNOLOGY, ZHEJIANG UNIVERSITY PHYSICS LABORATORY 3. 测量亥姆霍兹线圈轴线上磁场BR的分布 (1)调整亥姆霍兹线圈间距R=100mm，Y向导轨、Z向导轨置于0 (2)将线圈A和B同向串联， 并通入励磁电流IM 及其他必须的电流 (3)用短接线将数显毫伏表输入端短接，调节IS、IM电流均为零，调节面板上的调零电位器旋钮，使毫伏表显示为0 (4)调节IS=5.00mA，励磁电流IM=0.5A，移动X向导轨以10mm为间隔距离,测量通电亥姆霍兹线圈轴线上的霍尔电压，数据记录在表格3,计算出各点的磁感应强度B,并绘出BＲ~X图 NINGBO INSTITUTE OF TECHNOLOGY, ZHEJIANG UNIVERSITY PHYSICS LABORATORY X（mm） V1(mV) V2(mV) V3(mV) V4(mV) (mV) BR(mT) +Is、+IM +Is、-IM -Is、-IM -Is、+IM 120 100 80 60 40 20 0 -20 -40 -60 …… -120 表3 ＢR~X IS =5.00mA IM =0.5A NINGBO INSTITUTE OF TECHNOLOGY, ZHEJIANG UNIVERSITY PHYSICS LABORATORY 4. 比较和验证磁场叠加的原理 将表1和表2的B1、B2数据按X向的坐标位置相加，得到B1+B2,将B1 、B 2 、B1+B2数据绘制在一起并与表３的BR数据比较 5. 测量亥姆霍兹线圈Y方向上磁场分布 x向导轨置0,调节IM=0.5A,Is=5.00mA,移动Y向导轨以10mm为间隔距离,测量磁场数据,绘出B-Y曲线(表格自拟) 最后,分析总结通电线圈轴线上各点磁感应强度的分布规律 NINGBO INSTITUTE OF TECHNOLOGY, ZHEJIANG UNIVERSITY PHYSICS LABORATORY 二. 电子元件的判别 与 整流器组装 NINGBO INSTITUTE OF TECHNOLOGY, ZHEJIANG UNIVERSITY PHYSICS LABORATORY 　整流电