低温GaN成核层MOCVD生长工艺对GaN外延薄膜影响的研究-材料科学与工程专业论文.pdf.docxVIP

声尸 声尸 明明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在指导教师的指 导下，独立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容 外，本论文不包含其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。 对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标 明。本声明的法律责任由本人承担。 论文作者签名：场＼武二奂 日期：矽／莎矿／．口矿 关于学位论文使用权的说明 本人完全了解太原理工大学有关保管、使用学位论文的规定， 其中包括：①学校有权保管、并向有关部门送交论文的原件与复 印；②学校可以采用影印、缩印或其它复制并保存学位论文；③ 学校可允许学位论文被查阅或借阅；④学校可以学术交流为目的， 复制赠送和交换学位论文；⑤学校可以公布学位论文的全部或部 分内容(保密学位论文在解密后遵守此规定)。 签 名：塌、久褒 日 期：矽7 5．口／．矿矿 导n币签名：搬饩 日 期： ≯{§．口／，护矿 万方数据 太原理工大学硕士研究生学位论文低温GaN成核层MOCVD生长工艺对GaN外延薄膜影响的研究 太原理工大学硕士研究生学位论文 低温GaN成核层MOCVD生长工艺对GaN外延薄膜影响的研究 摘要 III族氮化物半导体材料的研究和应用是目前半导体行业的热点。GaN 基半导体材料作为第三代半导体材料的代表，在高温、高频、微波、大功 率光电子等领域得到了很大的发展，大量的研究也证明以GaN等为代表的 宽禁带、直接带隙半导体材料仍有着广阔的发展空间和发展前景。然而由 于GaN熔点高，平衡蒸汽压很大，GaN材料的制备极为困难并且成本极高， 这也使得GaN的外延生长主要在异质衬底(如蓝宝石)上进行，但异质衬底 与GaN之间较大的晶格失配及热失配导致后续生长的GaN外延层具有很高 的位错密度(约为108-1010cm-2)，晶体质量比较差。这些高密度的位错严重 影响了半导体材料的晶体质量和光电性能。为了提高GaN外延薄膜的生长 质量，本文从成核层的生长工艺入手，通过对成核层生长时的温度和氨气 流量两个工艺参数进行优化，提高了GaN外延薄膜的晶体质量，并对成核 层的生长机理和对上层非掺杂GaN外延薄膜的影响机制作了进一步的讨论， 其主要的研究成果如下： 首先，本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备在蓝宝石衬底上 生长了具有不同成核层生长温度f分别为610。C、630。C、650。C、670。C和 690C)的五组GaN外延薄膜样品，并通过in．situ原位监测以及AFM、 HRXRD、PL和扎让L等表征手段进行检测。结合实验数据可知，成核层 的生长温度对GaN外延薄膜的晶体质量有着重大的影响。只有在适合的温 T 万方数据 太原理工大学硕士研究生学位论文度下，GaN成核层才会在退火后形成大小均一，密度适中的三维形核岛， 太原理工大学硕士研究生学位论文 度下，GaN成核层才会在退火后形成大小均一，密度适中的三维形核岛， 然后在后续的生长过程中顺利实现从3D生长模式向2D生长模式的转变， 最终得到高质量的GaN外延薄膜。在成核层生长温度为650。C时，得到最 为光滑致密的GaN外延薄膜，位错密度最低，光电性能最好，带边峰强度 最高，载流子浓度最低，载流子迁移率最高。 除温度外，本文还探究了氨气流量对低温GaN成核层生长过程的影响， 以及对后续高温非掺杂GaN外延薄膜晶体质量的影响。本实验仍用Aixtron 公司的MOCVD设备，采用两步生长法在蓝宝石衬底上制备了成核层生长 时氨气流量不同(分别为A样品400seem、B样品800seem、C样品1200seem、 D样品1600sccm、E样品2400sccm)的五组GaN外延薄膜样品。通过对实 验所得的样品进行HRXRD、PL、AFM和HALL等测试得知，成核层生长 时的氨气流量最优值为800sccm，此时样品刃型位错密度和螺型位错密度均 为最低，并且具有最好的光电性能。 关键词：氮化镓成核层，生长温度，氨气流量，位错密度，金属有机化学 气相沉积 II 万方数据 太原理工大学硕士研究生学位论文T髓INFLUENCE 太原理工大学硕士研究生学位论文 T髓INFLUENCE 0F GaN NUCLEATION LAYER PROCES S ON GaN．BASED EPITAⅪAL FILMS GROWN BY MOCVD ABSTRACT The research of group III nitride alloys and their application have become a very hot research fieldin the semiconductor industry，As a representative of the 恤rd generation of semiconductor