电场触发vo2薄膜相变机理研究-核科学与技术专业论文.pdf.docxVIP

摘要摘要 摘要 摘要 二氧化钒(v02)作为电子强关联体系的典型代表，在温度为340K时，会发 生金属绝缘体相变(MIT)，同时晶格结构也会发生转变。在相变前后，其电阻率 会发生3～5个量级的突变，同时由反铁磁特性转变为顺磁，而且红外波段的透 过率也发生巨大的变化。基于以上独特的相变特征，V02材料引起了人们极大的 兴趣，显示出广阔的应用前景，比如在红外激光防护、非制冷红外探测、智能窗、 记忆存储以及超级电容等方面。 但是限制VO：应用的一个瓶颈问题就是其高于室温的相变温度《Tc)，因此降低 二氧化钒的相变温度对推动其实际应用具有重要的意义。目前降低二氧化钒相变 温度的方法主要有以下几种：掺杂高价金属元素、氢化、电场诱导氧空位、界面 应力、离子注入以及电压调控等。其中高价掺杂和界面应力虽然可以有效降低 VO：的相变温度，但是很难实现连续调控而且调控过程不可逆；VOz的氢化处理 是一个可逆过程，但是氢化V02在空气中不够稳定；通过离子液体来施加电场诱 导氧空位的产生很容易对晶态薄膜的质量产生损伤：通过电压来调控V02的相变 温度不仅可以连续可调，而且过程可逆，因而受到了人们广泛的关注。 虽然最近几年关于电压调控二氧化钒相变越来越成为研究热点，但是其相变 调控机理一直没有定论，电场效应和焦耳热效应这两种机理解释一直存在极大争 议。因此在本论文中我们拟从一个全新的角度来解释这个相变调控机理。另外， 我们还研究了二氧化钒复合材料体系，拓展了其应用范围。本论文主要研究内容 包括： (1)利用分子束外延(OMBE)方法在蓝宝石衬底上生长出高质量的二氧化钒单 晶薄膜，并研究了电压调控二氧化钒相变过程的时间特性，从热力学平衡的 角度出发，研究了电压，局域温度和时间这三者之间的关系，给出了焦耳热 相变机理的直接证据。 (2)利用．OMBE一方法在蓝宝石衬底上制备了二氧化钒薄膜和铁磁性材料帐以及 反铁磁材料NiO的多层膜结构，发现了二氧化钒的相变行为会对铁磁材料 的矫顽力产生影响，拓展了二氧化钒相交在电磁材料中的应用； (3)用OMBE方法在p-GaN衬底上生长二氧化钒薄膜，在导电良好的GaN上施 加外电压／电流来连续调控二氧化钒的相变过程。 关键词：二氧化钒金属绝缘相变相变温度电压调控焦耳热机理阈值电压分 子束外延 万方数据 摘要 11 万方数据 ABSTRACTABSTF之ACT ABSTRACT ABSTF之ACT As typical correlated oxide material，vanadium dioxideⅣ02)shows metal- insulator transition OVaT)behavior at the temperature of 340K,accompanying with a simultaneous crystal lattice transformation．Across the phase transition,the conductivity will changed with the magnitude of 3--．5 orders，the magnetic property will transfer from antiferromagnetic to paramagnetic characteristics and the infrared transmittance will show great change at the sanle time．Due to these specific phase transition features，V02 has attracted great interest and shown potential applieatiom in many field,such as the infrared laser protection,uncooled infrared detector,smart windows，memory storage and super capacitor． HoweveL there exists a bottleneck for the practical applications of vanadium dioxide：the relatively high crRical temperature Tc．Thus decreasing the Tc value of V02 is very meaningful Now many methods have been proposed to reduce the V02 phase transition temperature，such as high valance