集成电路制造中选择性锗化硅外延工艺研究-集成电路工程专业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 P P r e s s u r e ， a m o n g t h e m ， H C I P a r t i a l P r e s s u r e 1 5 n e g a t i v e d i r e e t i o n . F o r e f f e e t G e % ， t h e s e q u e n e e a r e e h a m b e r P r e s s u r e ) G e H 4 P a r t i a l P r e s s u r e ) D C S P a r t i a l P r e s s u r e ) t e m P e r a t u r e ) H C I p a r t i a l P r e s s u r e ， a m o n g t h e m ， t e m P e r a t u r e D C S P a r t i a l p r e s s u r e a r e n e g a t i v e d i r e e t i o n . I n l a s t t h i s t h e s i s a n a l y s i s t h e s e l e e t i v e e P i t a x y S I G e s e e d l a y e r g r o w t h . W i t h g a t e l e n g t h e o n t i n u e s h r i n k ， i t r e q u i r e G e e o n e e n t r a t i o n e o n t i n u e i n e r e a s e . O n t h e o t h e r h a n d 1 5 a d d i n g b o r o n i n S I G e t o r e d u e e t h e r m a l b u d g e t . T h e t w o d e v e l o P m e n t d i r e e t i o n d e P e n d s o n t h e S I G e s e e d l a y e r q u a l i t y . I n t h i s t h e s i s a n a l y s i s h o w t o g e t u n i f o r m S I G e s e e d l a y e r ， t h e s e e d l a y e r n o t o n l y e a n r e d u e e b o r o n d i f f u s e ， i t a l s o e a n w e l l e o n n e e t S I G e : B b u l k l a y e r . K e y w o r d s : s e l e e t i v e e P i t a x y ， P a t t e r n l o a d i n g e f f e e t ， s e e d l a y e r . C l a s s i f i e a t i o n C o d e : T N 4 7 月U 舀 月U 舀 当 今 世 界 ，集 成 电路 ( IC : In te gr at ed Ci rc ui t) 产 业 迅 猛 发 展 ，给 人 们 的 生 产 和 生 活 带 来 翻 天 覆 地 的变 化 。通 常 人 们 把 集 成 电路 产 业 大 致 分 为 三 大 部 分 : 电 路 或 版 图 设 计 ，晶 片 制 造 ，晶 片 封 装 与 测 试 。其 中 又 以 晶 片 制 造 为 核 心 ，因 为 它 工 艺 最 复 杂 ，会 聚 了众 多 的 先 进 工 艺 和 技 术 。 根 据 摩 尔 定 律 : 集 成 电路 特 征 尺 寸 每 18 个 月将 减 小 30% ，集 成 度 增 加 一 倍 ， 产品性价比增加一倍。根据 九 二 C * 以 / 儿，要使传输延时 九减小，就 要增加饱和电流 儿. 又由于 儿 ? 州 (L * 儿x)， 在集成电路发展到90nln 以 前 ， 人 们 通 常 的 做 法 是 减 小 沟 道 长 度 和 减 小 栅 氧 化 层 的厚 度 。但