硫化物异质结的制备及光电性能的研究-材料学专业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 硕士学位论文 硕士学位论文 硫化物异质结的制备及光电性能的研究 摘 要 太阳能可以利用的形式主要包括热能利用、生物化学能利用、机械能利用以及光能 的利用。其中利用太阳能的光生伏打效应来进行发电，即通常所说的太阳能电池，是目 前利用太阳能的主要途径之一。但是，目前限制太阳能电池发展的因素还有很多，例如 制备工艺繁琐、能耗高、成本高等。寻求一种简单、无污染、低成本、低能耗的制备方 法合成具有较好光电性能的半导体材料成为了太阳能电池研究的关键。本论文对硫化物 异质结薄膜的制备进行了研究，并进一步地将其应用薄膜太阳能电池中，对电池器件的 性能参数进行了测试。本论文的主要研究内容归纳如下： (1)在FTO导电玻璃基底上溅射一定厚度的金属镉薄膜，采用简单的化学气相沉积 法一步合成了CdS纳米结构薄膜。再通过超声辅助，在室温下经阳离子交换制备 CdS／AgES异质结。详细分析不同反应时间对产物薄膜的影响，并做了一系列的表征和 光电性能测试。实验结果表明CdS／A92S异质结薄膜致密，颗粒粒径在200-400lira之间， 薄膜表现出增强的可见光吸收，其光电流密度为30．0 iJAcm-2是CdS薄膜的2．3倍。通 过CdS／A92S异质结薄膜与P3HT的杂化，组装成无机．有机太阳能电池后，测得的电池 性能参数为：开路电压为O．082 V，短路电流密度为0．192 mAcm～，填充因子为0．261， 转化效率为0．0046％，其光电转换效率是CdS薄膜的2．4倍。 (2)在FTO导电玻璃基底上溅射一定厚度的金属锡薄膜，采用简单的化学气相沉积 法一步合成了SnS2纳米结构薄膜。在SnS2薄膜上溅射不同厚度单质锡，通过高温固相 反应生成SnS2／SnS p-n异质结薄膜。实验结果表明SnSE／SnS异质结薄膜致密均匀无裂痕， 在300～1000 nin波长范围内表现出很强的吸收，并且有很好的光电流响应。组装成无机 p-n结太阳能电池后，测得的电池性能参数为：开路电压为0．159 V，短路电流密度为0．216 mAcm。2，填充因子为0．17，转化效率为0．006％，通过初步优化器件，得到较优的转化 效率为0．011％。 (3)同样采用离子交换法制备CdS／CuS异质结薄膜，调控反应温度和反应时间，在 温度为40 oC，时间为40 min制备出致密均匀无裂痕的CdS／CuS异质结薄膜。通过一系 列的表征和光电性能测试。实验结果表明CdS／CuS异质结薄膜的光电流密度达到25．0 pAcm～，是CdS薄膜的2倍。 关键词：太阳能电池，硫化镉，硫化锡，异质结，离子交换 万方数据 硕士学位论文 硕士学位论文 硫化物异质结的制各及光电性能的研究 Abstract The forms of solar utilization include thermal energy,biochemical energy,mechanical energy and optical energy．Making use of solar photovoltaic effect to generate electricity, which is known as solar cell，is one of the main ways to use solar energy．However，the development of solar cells is restricted in many aspects at present．such锯complex production process of raw materials，and high energy consumption，high production costs，and SO on．ne key of the solar cell research is preparation of new semiconductor materials with excellent optical properties，by using low-temperature，environmental benignity，low-cost and low-energy-co