湿法腐蚀和干法刻蚀工艺对850nmVCSEL高速调制性能的影响.PDF

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2019-03-30 发布于天津
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SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICS　Vol．３８No．６ Dec．２０１７、 : / 材料结构及工艺 DOI １０．１６８１８．issn１００１－５８６８．２０１７．０６．０１３ j 湿法腐蚀和干法刻蚀工艺对８５０nm VCSEL高速调制性能的影响 , １２２２２２２１ , , , , , , 董建何晓颖胡帅何艳吕本顺李冲郭霞　　　　　 ( , ; , ) １．北京邮电大学电子工程学院北京１００８７６２．北京工业大学信息学部北京１００１２４ : ( ) 、、摘要垂直腔面发射激光器以其低功耗低阈值电流高调制速率和易制作二维　　 VCSEL , . 阵列器件等特点广泛应用于短距离光互连领域湿法腐蚀和干法刻蚀作为高速 VCSEL台面结 , . , 构制备的两种工艺影响 VCSEL氧化层的大小文章研究了氧化层面积对寄生电容的影响并计 , , 算得到７ m氧化孔径下采用干法刻蚀工艺的垂直腔面发射激光器相比较湿法腐蚀工艺氧化层 μ , . 电容由９０２．２３fF减小至５８１．３２fF谐振腔电容由３２０．７２fF减小至２０６．６５fF 通过对采用湿法 , , 腐蚀和干法刻蚀工艺制备的GaAs量子阱结构高速 VCSEL进行小信号调制响应测试结果表明７ m氧化孔径下干法刻蚀 VCSEL小信号调制带宽提高至１６．１GHz. μ : ; ; ; 关键词垂直腔面发射激光器高速调制湿法腐蚀干法刻蚀　中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN２４８．４　 A　１００１－５８６８２０１７０６－０８２６－０４ Im actofWetEtchin andDrEtchin onPerformanceofHihＧseed p g y g g p ８５０nmVerticalCavit