碳纳米管填充聚合物复合材料的介电性能研究.PDFVIP

碳纳米管填充聚合物复合材料的介电性能研究 1 1,2 王岚 ，党智敏 * 1. 北京化工大学 教育部纳米材料重点实验室 北京 100029 2. 北京化工大学 北京市新型高分子材料制备与工艺重点实验室 北京 100029 摘要：本文研究了未经处理的多壁碳纳米管/聚偏氟乙烯(MWNT/PVDF)复合材料体系的介电性能。发现，在 低频下，复合材料的介电常数随MWNT 的含量增加而迅速增加，当体积分数为2.0 % 时，介电常数高达300 左右，并且复合材料的渗流阈值仅为1.61 vol% 。MWNT 较大的长径比和较高的电导率导致复合体系渗流阈值 较低。发生渗流效应时，复合材料的介电损耗低于0.4 ，与频率无关。因此，可以认为未经过化学处理的碳纳 米管可以大幅度改善PVDF 基复合材料的介电性能。 关键词：碳纳米管；聚偏氟乙烯；介电性能；复合材料 中图分类号：TM2 文献标识码：A 1 前言 近几年来，具有良好的压电和热电效应的柔性聚合物材料受到关注，例如聚偏氟乙烯[poly(vinylidene fluoride) ，简称 PVDF], 聚偏氟乙烯－三氟乙烯共聚物 poly[(vinylidene fluoride) -co- trifluoroethylene ，简称 P(VDF-TrFE)]和聚偏氟乙烯－三氟乙烯－氯代偏氟乙烯三元共聚物[poly(vinylidene fluoride -trifluoroethylene -chlorofluoroethylene)，简称P(VDF-TrFE-CFE)]等，这类材料具有广泛的技术应用前景[1-5] 。但是，在很多功 能材料领域（例如高储能电容器，电致伸缩人工肌肉和药物释放智能外衣等），要求聚合物具有高的介电常数 [1,2] 。通常，提高聚合物介电常数的方法主要是,将高介电常数的陶瓷粉末利用特殊的复合工艺添加到聚合物 基体中形成0-3 型复合材料[6]。然而, 由于固有材料以及相关的提高介电常数的机理限制,致使高介电常数的复 合材料需要高含量的陶瓷填充，这极大的影响了聚合物基复合材料的柔韧性。因此，填充有机粒子的高介电复 合材料受到关注，但是需要填加大量的有机填料。相关文献报道[1,3,7]，聚合物基复合体系的介电性能依赖于 组成材料的物理性质、复合材料的制备工艺、填料与聚合物间的表面与界面相互作用以及介电常数增加的机理 等，特别是填料的形状和尺寸会大大影响复合材料的介电性能。 本文研究了未经过处理的多壁碳纳米管/ 聚偏氟乙烯（MWNT/PVDF ）复合材料体系，发现填充低含量的 MWNT ，聚合物基复合材料可以获得高的介电常数。碳纳米管具有电导率高、且具有较大的长径比和特殊的 物理性质，尤其是电性能和机械性能，因此近年来受到科技界的高度重视。已有研究结果表明导电粒子可以大 幅度提高复合材料的介电常数[4,5,8-12] 。而且发现未处理的碳纳米管在阈值时，可以改善复合材料热导率。因 此，我们选用未经任何修饰的多壁碳纳米管作为填料，探索MWNT/PVDF 复合材料的介电性能。MWNT/PVDF 复合材料通过简单的物理混合以及随后的热压工艺获得。通过改变复合材料中MWNT 的含量，使之趋近于复 合体系的渗流阈值。 2 复合材料制备及试验方法 未经过处理的MWNT 在有机溶剂（例如DMF ）中超声分散2 h ，然后与PVDF 的DMF 溶液混合，继续 超声 10 min ，然后在60 ℃下烘干8 h 去除溶剂。复合材料在200 ℃、15 MPa 下热压得到厚约1 mm ，直径约 12 mm 的样品，涂覆银浆后进行介电性能测试。室温下，通过HP 4194A 阻抗分析仪测试样品在100 Hz －40 MHz 频率范围内的交流介电性能。通过透射电镜（日立，H-800 ）观察复合材料的横切面形貌。 3 实验结果与讨论 图1a 是MWNT/PVDF 复合材料的交流电导率随体积分数的变化。发现当体积分数达到0.016 －0.02 时， 1 复合材料发生绝缘相向导电相的转变， 即发生渗流现象，该转变可以通过式(1)的关系式进行描述: σ ∝σ (f −f )−s , 当 f