基于PML边界的有限差分法及其在光波导泄漏损耗计算中-光子学报.PDFVIP

基于PML边界的有限差分法及其在光波导泄漏损耗计算中-光子学报.PDF

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
32 12 Vol. 32 No. 12 2003 12 ACTA HOTONICA SINICA December 2003 ML * 徐 静 戴道锌 何赛灵 ( , 310027) 利用结合完美 配层( ML) 边界的有限差分法计算了光波导的泄漏损耗 通过采用非 均匀格点差分格式和反正切坐标变换的方法, 有效地减小了计算量并提高了计算精度分析了 I (polyimide) 掩埋型波导和SOI( silicon-on-insulator) 脊型波导两种典型结构的泄漏损耗, 给出了波导 结构尺寸对泄漏损耗的影响, 并对有效减小泄漏损耗的方法进行了讨论 有限差分法; 完美 配层边界; 泄漏损耗; 反正切变换; 非均匀格点; 聚酰亚胺; SOI TN252 A n ; k 0 ; ; n ML p Si ; ML ML x y Si ( 3. 5) , , Si , Si ( ) , , ( Si SiO2) ( Si polymer ) , , x y y , , , ML h i , My , yi , h / M ( SOI i y [ 1,2] , ) , ML[ 1] x , , = arctan( x ) , polymer SOI , x ( - , + ) , , ( - / 2, / 2) ( 1) , , x , ML 1 , , ML , , T M E [ 3] y 1 1 Ey 1- j / n2 x 1- j / n2 x + x 0 p x 0 p 2 1 1 1 ( n Ey ) 1- j / n 2 y n 2 1- j / n 2 y + y 0 p y 0 p 图1 反正切变换 2 2 2 n k Ey = Ey ( 1) Fig. 1 Arc tangent transformation ,

文档评论(0)

suijiazhuang1 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档